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场效应管的应用类型有哪些,都有什么作用
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场效应管可分为两类:一类足结型场效应管,另一类是绝缘栅型场效应管,也称mos管。结型场效应管依据其沟道所采用的半导体资料,又分为n沟道和p沟道两种;绝缘栅型场效应管除有n沟道和p沟道之格外,还有加强型与耗尽型之分。如图所示。

1.结型场效应管(简称jfet)

n沟道结型场效应管的基体是一块n型硅资料。从基体引出两个电极分别叫源极(s)和漏极(d)。在基体两边各附一小片p型资料,其引出的电极叫栅极(g)。这样,在沟道和栅极之间构成厂两个pn结,当栅极开路时,沟道就相当于一个电阻,不同型号的管子其阻值相同,普通大约为数百欧到千欧。图所示为结型场效应管的构造与符号。

2.绝缘栅型场效应管(简称mosfet)

依据绝缘层所用资料之不同,绝缘栅型场效应管有多品种型,目前应用最普遍的一种是以二氧化硅(si02)为绝缘层的金属—氧化物—半导体(metal-oxide-semiconductor)场效应管,简称mos场效应管(mosfet)。

绝缘栅型场效应管分为加强型与耗尽型,每一类又有n沟道、p沟道之分。

绝缘栅型场效应管的特性是输人电阻高,便于做成集成电路。在一块n型硅片上有两个相距很近浓度很高的p扩散区,分别为源极和漏极。在源区与漏区之间的硅片上,有一层绝缘二氧化硅,绝缘层上掩盖着金属铝,这就是栅极。栅极和其他电极之间是绝缘的,所以称为绝缘栅型场效应管。由于源、栅之间有一层氧化层,这种管子根本上没有栅极电流,因而输入阻抗十分高。图所示为绝缘栅型场效应管的构造与场效应管符号。

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