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LED晶片製造工藝流程
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     外延生長的基本原理是:在一塊加熱至適當溫度的襯底基片(主要有藍寶石和、SiC、Si)上,氣態物質InGaAlP有控制的輸送到襯底表面,生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術主要採用有機金屬化學氣相沉積方法。
MOCVD介紹:

      金屬有機物化學氣相澱積(bbbbl-Organic Chemical Vapor Debbbbbbbb,簡稱 MOCVD), 1968年由美國洛克威爾公司提出來的一項製備化合物半導體單品薄膜的新技術。該設備集精密機械、半導體材料、真空電子、流體力學、光學、化學、電腦多學科為一體,是一種自動化程度高、價格昂貴、技術集成度高的尖端光電子專用設備,主要用於GaN(氮化鎵)系半導體材料的外延生長和藍色、綠色或紫外發光二極體晶片的製造,也是光電子行業最有發展前途的專用設備之一。

LED晶片的製造工藝流程:
      外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→幹法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→視窗圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→晶片→成品測試
其實外延片的生產製作過程是非常複雜的,在展完外延片後,下一步就開始對LED外延片做電極(P極,N極),接著就開始用鐳射機切割LED外延片(以前切割LED外延片主要用鑽石刀),製造成晶片後,在晶圓上的不同位置抽取九個點做參數測試,如圖所示:
1、主要對電壓、波長、亮度進行測試,能符合正常出貨標準參數的晶圓片再繼續做下一步的操作,如果這九點測試不符合相關要求的晶圓片,就放在一邊另外處理。
2、晶圓切割成晶片後,100%的目檢(VI/VC),操作者要使用放大30倍數的顯微鏡下進行目測。
3、接著使用全自動分類機根據不同的電壓,波長,亮度的預測參數對晶片進行全自動化挑選、測試和分類。

4、最後對LED晶片進行檢查(VC)和貼標籤。晶片區域要在藍膜的中心,藍膜上最多有5000粒晶片,但必須保證每張藍膜上晶片的數量不得少於1000粒,晶片類型、批號、數量和光電測量統計資料記錄在標籤上,附在蠟光紙的背面。藍膜上的晶片將做最後的目檢測試與第一次目檢標準相同,確保晶片排列整齊和品質合格。這樣就製成LED晶片(目前市場上統稱方片)。
在LED晶片製作過程中,把一些有缺陷的或者電極有磨損的晶片,分撿出來,這些就是後面的散晶,此時在藍膜上有一些不符合正常出貨要求的晶片,也就自然成了邊片或毛片等
剛才談到在晶圓上的不同位置抽取九個點做參數測試,對於不符合相關要求的晶圓片作另外處理,這些晶圓片是不能直接用來做LED方片,也就不做任何分檢了,直接賣給客戶了,也就是目前市場上的LED大圓片(但是大圓片裏也有好東西,如方片)。
作者:未知 点击:995次 [打印] [关闭] [返回顶部]
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