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碳化硅晶片的发展
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长江的策略会上,中科院物理所研究员、博导陈小龙作了《碳化硅晶片的发展》引起很大反响。
碳化硅晶片是第三代半导体材料,具有导热好、耐高温(600度)等特点,未来将替代硅。因为硅不耐高温,而集成电路的发展导致芯片功率余越来越大,芯片温度不断升高,硅作为芯片材料面临瓶颈。目前碳化硅主要用在LED照明和雷达、通讯、航天等领域,国际上对我国封锁技术。
天富热电持有中科合达蓝光半导体公司,该公司是天富、中科院物理所、研发团队组建,具有自主知识产权,是国内唯一具有碳化硅晶片生长技术的企业。11月份该公司的生产基地已开工,07年6月投产。
1.项目背景
碳化硅(SiC)是继第一代半导体材料硅和第二代半导体材料砷化镓(GaAs)后发展起来的第三代半导体材料。由于SiC具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和浓度等特点,使得它在军用和航天领域的高温、高频、大功率光电器件方面具有优越的应用价值,并逐步取代现有的硅和砷化镓基光电器件。
我国首条碳化硅晶片试生产线建立
中科院物理研究所与北京天科合达蓝光半导体有限公司经过8个月的努力,合作研发出了具有自主知识产权的第二代碳化硅晶体生长炉,进一步优化了具有自主知识产权的碳化硅晶体生长工艺,使晶体质量的稳定性和产率得到提高。同时,在国内首次建立了一条完整的从切割、研磨到化学机械抛光(CMP)的碳化硅晶片中试生产线,建成了百级超净室,开发出碳化硅晶片表面处理,清洗、封装等工艺技术,使产品达到了即开即用(Epi-ready)的水准。日前,第一批中试批量生产的6H和4H晶型碳化硅晶片产品已经下线并发往国内用户。
  碳化硅晶片是第三代半导体关键基础材料,在微电子、电力电子和半导体照明器件等领域有着重要的应用和广阔的市场前景。此前,碳化硅晶体生长及加工技术被国外少数公司垄断,国内所需的碳化硅晶片几乎全部依赖进口。中科院物理所自1999年开展碳化硅晶体生长研究工作,在攻克晶体生长关键技术并获得高质量晶片之后,率先在国内开展了碳化硅晶体生长技术的产业化工作。2006年8月与上海汇合达投资管理有限公司、新加坡吉星蓝光科技有限责任公司共同成立了国内第一家致力于碳化硅晶片研发、生产和销售的公司——北京天科合达蓝光半导体有限公司。这次产品中试成果,标志着碳化硅晶片的国产化进入了一个新阶段。
  物理所碳化硅产业化工作得到了中科院物质科学基地、科技部863计划和其它国家相关部门的大力支持。
2.市场分析
由于SiC晶体生长难度大,造成SiC晶体生长产业化进展缓慢。经过数十年的研究和发展,在全球范围至今只有少数的研究机构和几个半导体公司掌握这项技术。国内目前尚无公司可进行生产, 国外主要是美国的Cree公司,该公司2001年的SiC及相关产品的销售已达1.8亿美元,利润达4800万美元。 1997-2001的 5年中 Cree公司的销售以年均58%的速度高速增长。碳化硅晶体作为各种电子元器件的基片,目前国际市场上直径为2英寸(半径25mm X 0.3mm)的SiC晶体基片价格为500-800美元/片。
根据一份国际权威的光电市场调研报告的保守估计,到2005年国际上仅SiC半导体市场的营业额将达到2亿5千万美元。而到2009年,由于SiC和GaN半导体器件,高亮度的紫外蓝光的LED和LD,以及固体照明的需求,宽带半导体(SiC, GaN)的市场额将增至48亿美元。此外,SiC将在大功率器件如电网调节和高频器件如通讯系统和高清晰度电视系统有着不可估量的市场前景。
3.已具备的产业化条件
中国科学院物理研究所从2000年以来投入大量人力和物力进行了SiC晶体关键生长技术的研发,凭借物理所多年在晶体生长的经验和实力雄厚的科研力量,目前已挤身于全球几个有能力生长2英寸SiC半导体晶体的单位之一,同时物理所已设计和制造出具有自主知识产权的SiC晶体生长炉,为规模化生产奠定了基础,并具有明显的价格优势。因此,该项目已具备了进行产业化的条件。
4.资金需求
项目投资总体经费需求4000万,分两期完成。
第一期工程投资约850万,资金到位12个月后,达到年产3600个晶片的生产和加工的规模,并试销2英寸SiC晶片。
第二期工程投资约3150万,资金到位12个月后,将生产模扩充至每年15000晶片和并开始在全球营销推广。
目前天富进行的是第二期
众所周知,硅对于电脑来说,可谓举足轻重。传统的电脑芯片是通过对硅进行熔化和冷却等多个过程后制成的。但是,硅有一个缺点,就是对温度过于“敏感”,有时在高温下不能正常工作,甚至受不了电脑本身电路产生的热量。因此,电脑中必须安装风扇或降温设备。而硅的这一局限性也阻碍了电脑功能的进一步发展。可以用碳化硅来代替硅制成芯片。这种芯片不仅具有硬度高、抗高温、抗辐射等特点,而且可靠性更强,它的运用可能在电脑,汽车甚至航天领域引发一次不小的“革命”。
  碳化硅是已知最硬的物质之一,其单晶体可制作半导体材料。但正是由于它硬度高,熔化及锻制的过程相当费劲,而且制成的晶片容易产生瑕疵,如杂质、气泡等,这些物质会严重影响或削弱电流。因此,碳化硅一直无法被用来制造芯片。
碳化硅半导体能应对“极端环境”,据称,碳化硅晶片甚至可以经受住金星或太阳附近的热度。前期的研究表明,即使在560摄氏度的高温中,碳化硅晶片在没有冷却装置的情况下仍能正常运作。碳化硅晶片在通讯领域具有广阔的运用前景,能让高清晰电视发射器提供更清晰的信号和图像;也可以用在喷气和汽车引擎中,监测电机运转。同时,它还可运用于太空探索领域,帮助核动力飞船执行更繁杂的任务。法国物理学家预言,在芯片制造领域,碳化硅取代硅已为时不远
中投-天富热电:碳项目进展顺利未来业绩可期 20070208
公司是由兵团企业演变而来的“厂网合一”垄断性地方热电企业,是新疆唯一一家热电联产,水火电并举,发、供、调一体化的上市公司,受惠于地方经济发展,未来装机容量加速,发电设备利用率、电/热价和煤价喜忧参半。
多年来公司经营业绩基本稳定,但近年来由于新疆煤炭市场的整顿,煤炭价格上涨造成公司业绩06年业绩有较大幅度的下降。公司进行了产品价格调整,预计07年、08年热电业务的业绩有所回升。
公司自2003年开始高科技项目的调研实施工作,基本上围绕与主业相关的新材料应用领域,经过3年的探索及实验,公司确定了以碳材料为核心的高科技产业项目。我们觉得公司未来三年能够真正产业化产生效益的项目主要有碳化硅晶片项目、炭小球项目、超级电容器用复合材料炭粉项目,其中以碳化硅晶片项目更为实际些。
其余相关项目及产品尚未开始或以销售渠道为主,公司自身能力也达不到,暂不考虑。
碳化硅晶片项目盈利预测按产量2007年9000片,2008年30000-50000片,炭小球项目产量2007年1吨,2008年5吨,超级电容器用复合材料炭粉项目产量2007年15吨,2008年50吨。
电力行业按15倍市盈率,碳项目新材料产品按40倍市盈率,按碳化硅晶片2008年30000片计算,公司合理价值在26元,给予推荐评级
风险提示:
高科技项目今年进入实施期,技术专利的产业化进程相对比较困难,项目上依然存在合作、管理协调、设备调试、熟练工人培训等诸多问题。
一、传统行业分析
1.兵团企业演变而来的“厂网合一”垄断性地方热电企业
新疆天富热电股份有限公司于2002年1月28日上市,向社会公开发行人民币普通股6,000万股。2003年6月25日以公积金转增资本8,454.25万股,总股本达到25362.75万股。2006年5月9日实施股权分置改革后,流通股为11970万股,占47.2%。主要大股东为新疆天富电力(集团)有限责任公司,掌控公司51.66%的股份。
公司由新疆石河子电力工业公司、新疆生产建设兵团农七师电力工业公司、新疆石河子造纸厂、新疆石河子市水泥制品厂、新疆石河子148团场5家企业法人共同发起设立于1999年3月28日,并于2000年6月更名为新疆天富热电股份有限公司。
公司是新疆唯一一家热电联产,水火电并举,发、供、调一体化的上市公司。公司目前总装机容量为26.2万千瓦,拥有110千伏、35千伏变电站共31座,110KV输电线路450多公里,35KV输电线路430多公里,供电半径150余公里,覆盖整个石河子垦区。供热锅炉总容量为1660吨/小时,供热半径8公里,供热面积达680万多平方米。
由于热电主业的发展受区域的限制,公司已实施多元化发展战略,在房地产领域和高科技领域进行积极的探索。
2.受惠于地方经济发展,未来装机容量加速
农八师石河子市是一座兵团城市,近年经济发展迅速,gdp增速一直保持在10%左右,在2005年全国百强县市(2012个主要县市里)中位列第92。石河子市是传统的轻工业城市,特别以棉纺织工业著称。
近年来在原有的基础之上积极招商引资,设立了国家级经济技术开发区,已进驻的企业有康师傅、伊利、旺旺、燕京啤酒、华龙日清、弘生纺织、天盛纱业等等。在用电结构方面,农业用电占30%,工业用电占50%,民用电占20%。可以预计在未来3-5年内,当地经济发展能够很好的支撑电力的快速发展。
公司目前全资拥有红山嘴电厂、西热电厂和东热电厂,总装机容量26.2万千瓦,其中水电装机容量为6.5万千瓦,火电装机容量为19.7万千瓦。在建的发电项目有两个,其一是南热电厂2×12.5万千瓦热电联产项目,由公司和香港第一能源实业有限公司按75%和25%的出资比例共同建设,一号机组预计07年5月投产,二号机组将在08年建成投产;其二是玛纳斯河一级径流式5万千瓦水电项目,首台1.6万千瓦的机组已于06年9月并网发电,其余最晚07年5月份投产。到2008年在建项目全部投产,公司可控装机容量将达到56.2万千瓦,权益装机49.95万千瓦,实现发电规模的翻番。
另外,公司正在投资参与建设肯斯瓦特水利枢纽项目。该项目是玛纳斯河流域最大的水利工程项目,总投资超过15亿元,总装机容量10万千瓦,设计年发电量2.76亿千瓦时。该项目已上报水利部,有望在07年内开工建设,建设周期为三年,建成后将有效调节玛纳斯河丰枯水期对水力发电的影响,并改善公司电源结构,降低经营风险。
3.发电设备利用率、电/热价和煤价喜忧参半
06年火电发电小时数为7186小时,水电为3341小时,发电设备综合利用小时数为6142小时,比上年下降316小时,主要是由于火电主力机组大修,以及水电新增装机投产造成。
电/热价方面,和其他发电企业不同的是,公司掌控了发电、供电两部分资源,所控制的电网原是兵团资产,不属于国家电网。因此公司售电按照终端电价计算,发电厂不独立核算,因此没有上网电价。
石河子地区在06年8月25日调整了电价,具体调整如下:
1)城乡居民生活用电不做调整。
2)电网内其它各类用电销售电价平均上调1.95分/KWh。
3)调整大工业基本电价,按最大需量由22元KW/月调为30元KW/月;按变压器容量由15元KW/月调为23元KW/月。
4)工业生产用汽价格由15元/吉焦调为17.5元/吉焦。
调整后具体电价如下表所示:
公司现综合电价(不含税)为0.37元/KWh。此次调整一定程度上缓解了煤炭价格上涨造成的压力,预计07年的毛利率将会有一定幅度的回升。
煤价上,目前公司2006年用煤130吨,其中38万吨左右由集团下属的南山煤矿提供,价格为100元/吨,南山煤矿目前处于改扩建中,计划07年一季度完工,产能将从60万吨增加到90万吨。其余均需要从新疆市场采购,目前新疆煤炭市场上动力煤在160-170元/吨波动,06年最高达到180元/吨。在建的南热电建成投产后,每年将增加70万吨的煤炭需求。因此,煤炭价格波动成为影响公司发电发热业务的主要因素。
4.财务分析
多年来公司经营业绩基本稳定,但近年来由于新疆煤炭市场的整顿,造成市场供应量减少,使公司周边煤矿煤炭价格平均上涨近50%左右。2006年公司与新疆天富电力(集团)有限责任公司下属的南山煤矿签署的合同煤价也从85元/吨上涨到100元/吨,上涨幅度达18%。因此造成公司业绩06年3季度和05年同期相比有较大幅度的下降。由于公司在06年8月25日进行了产品价格调整,预计07年热电业务的业绩会有所回升。
目前财务上面临资产负债率较高的问题,主要原因在于公司近两三年内运用债务融资进行了多项投资。公司也在进行积极的努力改变这一状况。
5.盈利预测
基本假设:
1)假设南热电厂1号机组和玛纳斯1级水电站其余在建机组明年5月投产,南热2号机组08年上半年建成投产。因此,假设07、08年设备综合利用小时数为6000。
2)售电售热价格保持现有水平不变。
3)07年的发电量为21亿千瓦时,08年为32亿千瓦时。07年供热量1100万吉焦,08年为1300万吉焦。
4)07、08年用煤量分别为150万吨和200万吨,其中30%为合同煤,价格为100元/吨;市场煤方面,造成煤价上涨的原因在于新疆地区大力开展了小煤矿关停并转工作,清理违规生产的过程中造成煤炭供应的减少。随着供给量逐步回升,我们假设07年市场煤每吨150元,08年130元。
5)实际所得税率仍为优惠税率14.5%。
基于上述假设对公司实地调研了解的情况,2006、07、08业绩预测如下表:
二、高科技项目分析
1、公司碳项目具备产业链优势和技术优势
公司自2003年开始高科技项目的调研实施工作,基本上围绕与主业相关的新材料应用领域,经过3年的探索及实验,公司确定了以碳材料为核心的高科技产业项目,目前进入实施阶段的项目主要有碳化硅晶体、碳小球、超级电容器用复合材料项目公司位于新疆石河子市,处于北疆的中轴线上,北疆是新疆工业化基地,碳项目原材料主要为石化产品,公司附近100公里有新疆最大的克拉玛依石化公司和乌鲁木齐石化公司,而且公司的煤化工项目已获得国家审批通过,碳项目属于高能耗产业,公司本身就是发电、供电、供热一体化企业,通过与中科院物理所近三年的联系和分析,确定以碳化硅晶片为产品的合作意向。炭小球及炭粉项目是公司国家重点投资项目煤化工的衍生产物,与中国科学院山西煤炭化学研究所(现并入华东理工大学)近五年的合作,山西煤炭化学研究所有发明专利602项,在中国煤化研究及炭化研究处于领先地位。
通过与公司管理层的接洽和北京、新疆的实地考察,公司是个非常务实的上市公司,投资也符合公司的实际条件及能力,我们觉得公司未来三年能够真正产业化产生效益的项目主要有碳化硅晶片项目、炭小球项目、超级电容器用复合材料炭粉项目,其中以碳化硅晶片项目更为实际些。其余相关项目及产品尚未开始或以销售渠道为主,公司自身能力也达不到,暂不考虑。
公司高科技项目主要由公司控股子公司上海汇合达投资管理有限公司运作,上海汇合达成立于2005年11月,定位在于为公司有效拓宽融资渠道;依托发达地区优势的人才资源和技术力量,创建一个发展平台,为公司培育一批高、新技术项目,给公司的未来带来可观的利润回报。
2、碳化硅晶体今年将批量生产
产品用途及市场:
碳化硅初级产品粉末主要用于陶瓷和高温耐热材料领域,属于高能耗产品,目前国家已取消碳化硅粉末的5%出口退税,碳化硅晶体是目前碳化硅应用的最新技术产品,被称为第三代半导体材料,又称为宽禁带半导体材料、高温半导体材料等,是目前国际上的研究热点。它们具有高热导率、高临界击穿电场和低介电常数等特点,成为耐高温、大功率、耐高压、抗辐照的半导体器件的优选材料,碳化硅晶体作各种电子元器件的基片,碳化硅半导体的发展前景广阔。使用硅半导体的电子设备,有50%的电能内耗掉了。如果采用碳化硅,可使电能利用效率提高到70%。目前国际市场上直径为2英寸(半径25mm×0.3mm)的SiC晶体基片价格为500-800美元/片。据估计,到2005年国际上仅SiC半导体市场的营业额将达到2亿5千万美元。而到2009年,由于SiC和GaN半导体器件,高亮度的紫外蓝光的LED和LD,以及固体照明的需求,宽带半导体(SiC,GaN)的市场额将增至48亿美元。此外,SiC将在大功率器件如电网调节和高频器件如通讯系统和高清晰度电视系统有着不可估量的市场前景。目前以日本碳化硅晶片应用技术最好。
在中国晶体研究上,中科院物理所以陈小龙博士的团队处于领先地位,碳化硅晶体是中科院物理所研发7年,国家投资1700万研发成功,拥有多项国家发明专利,另外均为国外专利,中科院物理所主要产品为2英寸片,其中6H主要用于发光衬底基片,4H用于半导体应用,2003年研发成功,2006年已设计和制造出具有自主知识产权的SiC晶体生长炉,技术上及实验室生产已完全成功,并已成功销往国外,与能源资源优势的天富热电合作是研究机构与企业的完美结合,目前国内碳化硅晶片研究代表主要有山东大学晶体材料国家重点实验室和中科院物理所。
项目规划目标:2006年投资800万元,建立北京研发中心,2007年投资1200万,在新疆建立碳化硅晶体生产基地和全球销售渠道,2008年投资2000万,扩大新疆碳化硅晶体的年生产能力,2008-2010年,扩大生产,力争达到10万片晶片。
项目实际进展:至2007年1月30日,北京天科注册资金达到8400万,生产基地在北京、新疆两地,后续加工中心目前正在选址,估计将落户苏州,根据实地考察情况,通过同中科院项目总设计师陈教授请教及对北京碳化硅晶体生长炉的实地考察,我们觉得碳化硅晶片项目产业化进展顺利,北京8台自制生长炉已经委托生产,预计10台生长炉4月份可进行安装调试,晶体切片、抛光等后续工艺加工目前采用日本进口设备,已完成订货,预计7月份可达到20台生长炉,其中北京10台,新疆10台,新疆已完成1500平米48台的厂房建设,生长炉安装调试采用复制方式,缩短了调试周期,顺利的话,今年9月将达到35台炉子,新疆达到24台生长炉。市场销售方面,合作方及股东之一新加坡G3公司全面负责,初期国外市场就供不应求。
收入及利润贡献:新疆厂房建设在1000万左右,每台生长炉成本在30万元左右,后续工艺切片设备及抛光设备投入在800万左右,预计当期投入在2500万左右,2007年产量9000片,按6H、4H产品比例9:1来计算,400美金,可贡献销售收入5130万,参照电子类上市公司华微电子期间费用率在15%左右,原材料成本,每生产一只30厘米晶柱大约需要500克原料,40千瓦额定功率,实际20千瓦,活性炭粉,35000/吨,微硅粉2000元/吨,每片直接成本849.25元,按下半年设备全负荷计算,最低可生产晶片5200片,最高可生产晶片14000片。产品切割的废料可用作人造宝石,预计可为项目利润增加1-2百分点。
项目评价:该项目填补了国家高性能半导体产品的空白,5年内估计国内不会出现竞争对手,项目进展基本顺利,拥有优秀管理团队,在技术上生产上及销售上都没有不可克服的困难,由于晶体生长炉相互独立运行,大规模生产不存在技术风险。关键在于今年上半年能否实现晶体炉生长—〉切割—〉打磨抛光—〉产品封装整个产业链的具体实施,依然存在合作、管理协调、设备调试、熟练工人培训等诸多问题,如果能够逐步解决的话,我们对该项目的前景看好,2007年9000片的产量应该是有保证的,上市公司也承诺,产业化成功将加速基地建设和人才培养(2005年始已经实施与大学每年100人的培养计划),在晶体生长成品率、晶片切割产品率还可以提高,再利用好山东大学的切割及抛光专利产业化,成本将进一步的降低,2008年3000-50000片的产量应该不会有太大问题,对于这种节能、代表新一代半导体应用的新型产品,未来市场的巨大需求将推动产业化进程加速上行。
3、炭小球主要看保健品市场推广效果
产品用途及市场:性能上定向吸附、随机移 动等优越特性,主要用于医药保健及军工,沥青基球状活性炭(俗称炭小球)在日本医药领域已得到广泛应用,炭小球在军事防护方面也得到北约组织的应用,未来具有较大技术壁垒的炭小球产品在我国医药和军事领域将有相当大的市场,医药方面主要可用于定向吸附身体有害物质,减轻肾脏、肝脏的负荷,有助于肾病的治疗,每天服用在2克左右,保健品方面主要有排毒养颜之功效,每天服用在0.2克左右,军事方面的用途主要是空气净化及防毒防护面具及服装的需求。从产品的性能及效果来看,潜力不可估量。市场方面正在与日本三菱化工谈判,如果产品质量达到预期,将全额包销。
在国内只有中国科学院山西煤炭化学研究所拥有7项专利
项目实际进展:实际进度距规划目标相对滞后2年左右的时间,预计今年将实现量产,产量在1吨左右,生产基地位于上海张江科技园,由上海合达炭素科技有限公司来运作,07年3月,碳小球保健品已注册生产完成将投放市场,碳小球治疗药物将申请临床,预计临床实验周期在2年左右。空气净化用碳小球技术预计07年投产,航空及军方空气环境系统将采用该公司产品,目前产量在3吨左右,5吨线正在建设之中,保健品产品正在配套过程中,规划今年6月份搬迁,增加产能至5吨,如果进展顺利的话,明年扩展到50吨,实际感觉明年能5吨全产就不错了。
项目评价:该项目专利基本是在1997年至2001年,投入成本不高,为什么到2006年才逐步产业化值得探讨,发展潜力主要还在医药保健市场及军方市场,军方需求规模尚未体现,医药产品目前刚申请新药,预计2年后才能规模生产,今明两年利润体现主要看保健品的市场效果。因为该项目的生产销售都由公司自己管理,相应的团队尚未完全形成,对于一个国内新兴产品而言,风险比较大,该项目信息主要来自公司项目负责人的介绍,没有实地考察项目的具体情况,我们也将继续跟踪该项目的具体进展。
利润预测:
国内评估炭小球价格28元/克左右,12-15吨沥青生产1吨炭小球,沥青成本3000元/吨,设备及包装成本占收入5%,公司股权及财务指标取值与碳化硅项目一致,由于5吨生产线今年将改造建设完毕,2007年3吨生产线预计生产1吨炭小球,2008年生产5吨的预测是可行的。
4、超级电容器用复合材料炭粉产业化过程尚有难度
产品用途及市场:主要用于超大容量电容器的应用,有电容电池之说,快速充电缓慢放电的优越性能,可用于电力及混合动力汽车等新能源产品的领域,市场方面已与一些电池厂家签订了意向协议,销售应该不成问题。碳基凝胶产品规模较小,限于军方需求。
项目规划目标:计划一期投资4500万建成年产50吨的超级活性炭,5吨的碳基凝胶,于2006年5月18日开工建设,计划年内可试生产,达产后,预期可实现销售收入3301万元,利润1633.3万元,最终将建成年产500吨的规模,销售收入3.5亿,利润8700万项目实际进展:生产基地位于新疆石河子市天富科技园,至2007年1月30日,已投资4266万,厂房已经建好,主要设备已安装完毕,管道连接及控制设备尚未完毕,预计在2007年3月可联机调试,设备磨合及产品改良预计需要3-6个月,顺利的话,2007年下半年可规模生产产生效益。
项目评价:项目进度较规划推迟半年左右,该项目实验室实验是完全成功的,但规模化产业化生产国内尚属第一家,实施难度较大,50吨级生产能够达到预期目标估计不是短期能够实现的,如果真正能够成功,将填补国家碳复合材料的空白,新能源革命的基础。
利润预测:50吨生产线于去年9月份开始建设,按2007年9月投入生产,生产15吨超级活性炭,2008年在50吨左右是能够完成的。
高科技三个项目中,真正能走向产业化的项目比较看好碳化硅晶片项目,我们也将继续跟踪项目的产业化进度。
三、估值及投资建议
公司煤化工和丙酮酸项目尚处于投资期,碳化硅晶片项目盈利预测按产量2007年9000片,2008年30000-50000片,炭小球项目产量2007年1吨,2008年5吨,超级电容器用复合材料炭粉项目产量2007年15吨,2008年50吨。
电力行业按15倍市盈率,碳项目新材料产品按40倍市盈率,按碳化硅晶片2008年30000片计算,公司合理价值在26元,给予推荐评级。
与硅(Si)和砷化镓(GaAs)为代表的传统半导体材料相比,碳化硅(SiC)半导体在工作温度、抗辐射、耐高击穿电压性能等方面具有很大优势。 碳化硅(SiC)作为目前发展最成熟的宽带隙半导体材料,具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,其优异的性能可以满足现代电子技术对高温、高频、高功率、高压以及抗辐射的新要求,因而是半导体材料领域最有前景的材料之一。
碳化硅(SiC)半导体器件在航空、航天探测、核能开发、卫星、石油和地热钻井勘探、汽车发动机等高温(350~500oC)和抗辐射领域具有重要应用;
   高频、高功率的碳化硅(SiC)器件在雷达、通信和广播电视领域具有重要的应用前景;
此外,由于碳化硅(SiC)晶体与氮化镓(GaN)晶体在晶格和热膨胀性能相匹配,以及具有优良的热导性能,碳化硅半导体晶片也成为制造大尺寸,超高亮度白光和蓝光氮化镓(GaN)发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的理想衬底材料, 为光电行业的关键基础材料之一。
市场现状
早在上个世纪六十年代初,碳化硅半导体在物理、电子等方面的性能远优于硅半导体这一特征便被广泛认知。 经过近五十年的发展,硅半导体产业已成为全球每年近万亿美元的巨型产业,而以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体产业还正处于起步阶段,2005年全球SiC半导体产业规模为10亿美元。这是因为在上个世纪六十年代,单晶硅生长技术已经渐趋成熟,而掌握碳化硅晶体生长技术只是九十年代末期之事。经过数十年不懈的努力,目前,全球只有少数的大学和研究机构研发出了碳化硅晶体生长和加工技术。在产业化方面,只有以美国Cree公司为代表的少数几家公司能够提供碳化硅晶片,国内的碳化硅晶片的需求全赖于进口。
目前,全球市场上碳化硅晶片价格昂贵,一片2英寸碳化硅晶片的国际市场价格高达500美元(2006年),但仍供不应求,高昂的原材料成本占碳化硅半导体器件价格的百分之四十以上,碳化硅晶片价格已成为第三代半导体产业发展的瓶颈。因而,采用最先进的碳化硅晶体生长技术,实现规模化生产,降低碳化硅晶片生产成本,将促进第三代半导体产业的迅猛发展,拓展市场需求。
公司的关键技术:
自行研发,设计制造了碳化硅晶体生长的设备,采用创新的技术路线实现碳化硅晶体生长高温区等关键晶体生长条件的产生和控制;
自行研发了碳化硅单晶生长的关键技术:碳化硅晶体生长区的最佳温度和温度梯度及其精确控制和调节、载气流量和气压的稳定保持、以及籽晶和原料的特殊处理。
自行研发了碳化硅晶片加工的关键工艺技术:针对超硬的碳化硅,选取适当种类、粒度和级配的磨料以及适当的加工设备来切割、研磨、抛光;碳化硅晶片的抛光(CMP)和清洗工艺。
北京天科合达蓝光半导体有限公司发展目标
■ 2007年实现北京天科合达蓝光半导体有限公司小批量产品生产达标并初步建立国内外销售渠道
■ 2008年在新疆建成4万片光电用2英寸碳化硅晶片的生产能力
■ 2010年,在新疆建成12万片光电用2英寸碳化硅晶片的生产能力
■ 2011年,实现公司海外上市的目标
2007年10月15日,Cree宣布推出零微管(ZMPTM)100mm(4英寸)、n型SiC衬底,凭借这一成果,Cree加强了其在全球SiC基半导体材料市场领先制造商的地位。SiC可用于生产范围很广的电力、光及通信元件,其中包括电源切换、LED和无线通信用RF(射频)功率晶体管。微管是SiC中的晶体缺陷,目前商业衬底卖主供应的所有的SiC晶片几乎都存在这一问题。微管不仅会减少每一晶片可出产的电子器件个数,还会对每一电子器件的性能造成负面影响。而Cree通过之前的研发(获得美国陆军和国防先进研究计划总署的部分支持),已大大降低了该缺陷密度。Cree称向100mm ZMP衬底技术的转换是行业大范围选择SiC作为大功率开关元件材料的重要一步,Cree其他产品组与这一技术的整合预计会加速市场采用SiC作为大批量、生产就绪(production-ready)材料平台的速度。
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