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LED晶片的制造工艺流程
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      外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→视窗图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→晶片→成品测试
      其实外延片的生产制作过程是非常复杂的,在展完外延片后,下一步就开始对LED外延片做电极(P极,N极),接着就开始用镭射机切割LED外延片(以前切割LED外延片主要用钻石刀),制造成晶片后,在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试,如图所示:
      1、主要对电压、波长、亮度进行测试,能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作,如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片,就放在一边另外处理。
      2、晶圆切割成晶片后,100š„目檢(VI/VC),操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。
      3、接着使用全自动份类机根据不同的电压,波长,亮度的预测参数对晶片进行全自动化挑选、测试和份类。
      4、最后对LED晶片进行檢查(VC)和贴标签。晶片区域要在蓝膜的中心,蓝膜上最多有5000粒晶片,但必须保证每张蓝膜上晶片的数量不得少于1000粒,晶片类型、批号、数量和光电测量统计资料记錄在标签上,附在蜡光纸的背面。蓝膜上的晶片将做最后的目檢测试与第一次目檢标准相同,确保晶片排列整齐和品质合格。这样就制成LED晶片(目前市场上统称方片)。
      在LED晶片制作过程中,把一些有缺陷的或者电极有磨损的晶片,份捡出来,这些就是后面的散晶,此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片,也就自然成了边片或毛片等
      刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试,对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理,这些晶圆片是不能直接用来做LED方片,也就不做任何份檢了,直接卖给客户了,也就是目前市场上的LED大圆片(但是大圆片里也有好东西,如方片)。
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本文标签:LED晶片的制造工艺流程
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