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容量大于一切,PLC闪存已经开始崭露头角
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NAND闪存芯片价格连跌了6个季度,上游厂商叫苦不迭,但是下游厂商及消费者总算喘了口气,智能手机128GB容量都是标配了,1TB SSD硬盘也实惠多了,可以让HDD硬盘见鬼去了。NAND闪存下一步还要怎么发展?我们知道提高3D NAND闪存容量现在主要有两个方向了,一个是提高堆栈层数,今年多家NAND公司量产了96层堆栈的3D闪存,三星日前还首发了136层堆叠、256Gb(32GB)的第六代V NAND(3bit,也就是TLC)闪存,很快其他厂商也会跟上。

 

 





 

另一个提高闪存容量、降低成本的方式就是提高闪存cell单元的bit位元,所以就有了SLC、MLC、TLC、QLC闪存之分,它们每个单元中分别容纳了1bit、2bit、3bit、4bit位元,而主控需要控制2组、4组、8组、16组不同的电压,越来越复杂,而且写入性能直线下降,可靠性也会下滑。

 

QLC闪存从去年到现在正在快速进入市场,但是大家对QLC闪存的评价可不高,虽然市售产品的性能指标看起来不错,但是没有了SLC缓存、DRA缓存拉高性能,QLC闪存的原始写入性能实际上只有80MB/s,比HDD硬盘都不如(但随机性能依然秒杀)。

 

这个问题也是QLC闪存普及的障碍,不过普通人也没什么办法,随着生产的扩大,QLC闪存迟早会是主流选择之一。

 

那QLC闪存之后,实际上5bit MLC闪存也一直在研究中,其名字可能是Penta Level Cells,简称PLC,它要控制32组不同的电压,更加复杂了,所以过去一两年虽有零星报道,但是谈量产、上市还有点早。

 

在刚刚开幕的2019 FMS国际闪存会议上,东芝已经开始探讨PLC闪存的可能了,目前还没实物,但是这也代表着PLC闪存已经开始崭露头角了,说不定哪天就真的上市了。

 

对于PLC闪存,现在没有什么实际的规格、性能,但是QLC闪存性能都比不过HDD硬盘,QLC只能更渣,这个是天生的,只能靠各种缓存技术来提升下了。
作者:未知 点击:150次 [打印] [关闭] [返回顶部]
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