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以IGBT为基础，许多功率器件如IGBT模块#65380 IPM*2#65380 DIPIPMTM*3得到了快速发展 IGBT作为这些功率器件的核心，其在应用过程中的要点和原则，同样适用于这些功率器件 只有充分了解IGBT的特性和应用要点才能更好地理解和使用由IGBT进化而来的各种器件
通常大家所提到的IGBT，一般指分立IGBT器件或IGBT模块，这些器件的结构和工作机理都是以IGBT芯片为基础，一代IGBT芯片技术决定了一代IGBT模块#65380 IPM#65380 DIPIPMTM等以IGBT为基础的关联器件的主要性能
近20年来，IGBT芯片技术的发展很快，技术改进方案很多，每种技术改进措施的实施，都会把IGBT芯片的性能向前推进 IGBT芯片发展大体经历了平面栅PT*4型IGBT#65380 沟槽栅PT型IGBT#65380 载流子存储沟槽栅型CSTBTTM*5 LPT*6 IGBT等进化过程，不同芯片具有不同的结构#65380
制造工艺和工作特性，IGBT芯片技术进化方向总是围绕着如何把“通态压降-开关时间”的矛盾处理到更为优化的折中点，通过优化IGBT芯片的开关特性和导通特性使器件的功耗#65380 噪声#65380 短路能力等关键性能指标得到提升 因此在各类以IGBT为基础的器件的应用过程中，了解该器件所采用IGBT芯片的特性
图1给出了由IGBT进化而来的各种相关功率器件的
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