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在t2时刻，二极管正向电流为零，负载电流在此过程中不发生改变，二极管反向恢复电流由IGBT承担，此时IGBT电流超过输出电流 在t3时刻，流过IGBT的电流等于输出电流Io和二极管反向恢复峰值电流IRR之和，二极管开始恢复反向阻断能力，反向恢复电流开始逐步减少
这一期间，IGBT和二极管都有能量损耗 t4时刻，由于寄生电感和寄生电容而引起振铃现象 在t4~t5期间，IGBT的集电极电压达到稳定状态 IGBT实际关断波形见图7，关断开始时栅极电压减少，栅射极电容CGE放电，t1时刻栅极电流恰好使IGBT进入临界饱和，输出电流Io全部由IGBT供给
t1时刻开始uCE开始缓慢上升 从t2时刻开始，当uCE增加到10V以后，密勒电容CGC的容量大大减小，明显减少了从集电极到栅极的反馈电流，uGE向零下降，uCE迅速向直流母线电压上升 t3时刻，IGBT集电极电压达到直流母线电压，输出电流转由续流二极管提供，完成关断过程
1.2.2 分立IGBT器件特性及应用基础IGBT芯片的特性直接决定了IGBT器件的特性，同时又受到其它外围驱动参数的影响，对于分立IGBT的实际应用来说，驱动保护设计与散热设计是其中两个#重要的技术要点，对于器件的运行乃#电力变换装置的可靠性和寿命#关重要
由于IGBT门极采用了MOSFET栅结构，利用电压驱动，具有开关速度快#65380 频率特性好的特点，另一方面电压驱动又使其门极易受到电压干扰，特别是器件本身的寄生参数或线路中寄生参数导致的浪涌电压都会对分立IGBT的运行产生影响 同时分立IGBT作为功率器件，工作时需要承受高压#65380
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