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苏州银邦电子技有限公司：
代理功率半导体产品及配套器件，IGBT以及配套驱动网上供应商。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉，在电力电子行业树立了良好的企业形象，同时与多家电力电子企业和上市公司长期保持着稳定互信的合作关系，也是众多电子厂商（富士、三菱、英飞凌、西门康，艾塞斯，尼尔，ABB，西玛，三社、宏微等）的诚信代理商。通过多年的实战经验，公司积累了坚实的功率半导体应用知识，为电力拖动、风力发电、电焊机、电力机车等行业提供完善的解决方案，为客户提供技术支持！ 代理品牌：
1、富士、英飞凌、三菱、西门康全系列IGBT产品；
2、富士、三菱、英飞凌、西门康、仙童、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、单管、整流桥产品；
3、CONCEPT、IDC驱动片及驱动板；
4、巴斯曼（BUSSMANN)，西门子，日之出等品牌熔断器、底座、熔芯等；
用过MOS管的小伙伴都知道，其内部有一个寄生二极管，有的也叫做体二极管。
1、PMOS管做开关用，S极作电源输入，D极作输出，当Vsg大于阈值电压，MOS管导通，一般MOS管的导通内阻都很小，毫欧级别，过几安培的电流，压降也才毫伏级别，此时体二极管是截至状态的。
2、PMOS管D极接电源输入，S极接输出，D极首先通过PMOS管内部的体二极管到达S极，控制G极为0，Vsg大于阈值电压，MOS管导通，和上面一样，DS沟道压降很小，DS压差不足以使二极管导通，这时候MOS管的体二极管也是截至状态的。
如果控制G极为高电平，PMOS管会截至，D极电源输入走的是体二极管路径，一般二极管压降是要比MOS管大一些的，所以Vs会比Vd小一些。
上面场景2，在某些电路场合中经常会用到。
比如双电源供电的方案中，其中一个电压较低，接近负载电源电压，可以直接走MOS管的沟道；另外一个电压较高，如果直接导通，DS电压差不多，后端负载承受不住，这时候利用MOS管内部的体二极管，增大DS之间的压降，保证了安全。
使用场景2，我们就要考虑寄生二极管的过电流能力和压降。
这个体二极管其实就是一个普通的二极管，也能过较大的电流，比如下面这个，DS沟道能过5.8A，体二极管能过2.9A。
