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苏州银邦电子科技有限公司：
代理功率半导体产品及配套器件，IGBT以及配套驱动网上供应商。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉，在电力电子行业树立了良好的企业形象，同时与多家电力电子企业和上市公司长期保持着稳定互信的合作关系，也是众多电子厂商（富士、三菱、英飞凌、西门康，艾塞斯，尼尔，ABB，西玛，三社、宏微等）的诚信代理商。通过多年的实战经验，公司积累了坚实的功率半导体应用知识，为电力拖动、风力发电、电焊机、电力机车等行业提供完善的解决方案，为客户提供技术支持！ 代理品牌：
1、富士、英飞凌、三菱、西门康全系列IGBT产品；
2、富士、三菱、英飞凌、西门康、仙童、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、单管、整流桥产品；
3、CONCEPT、IDC驱动片及驱动板；
4、巴斯曼（BUSSMANN)，西门子，日之出等品牌熔断器、底座、熔芯等；
MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。
MOS管其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
