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二极管艾赛斯MMO62-16IO6快恢复二极管

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  • 发布日期:2026-04-22
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详细参数
品牌/厂家IXYS型号型号齐全
供应商器件封装其他产地美国

产品详情

苏州银邦电子科技有限公司:

  代理功率半导体产品及配套器件,IGBT以及配套驱动网上供应商。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉,在电力电子行业树立了良好的企业形象,同时与多家电力电子企业和上市公司长期保持着稳定互信的合作关系,也是众多电子厂商(富士、三菱、英飞凌、西门康,艾塞斯,尼尔,ABB,西玛,三社、宏微等)的诚信代理商。通过多年的实战经验,公司积累了坚实的功率半导体应用知识,为电力拖动、风力发电、电焊机、电力机车等行业提供完善的解决方案,为客户提供技术支持! 代理品牌:

  1、富士、英飞凌、三菱、西门康全系列IGBT产品;

  2、富士、三菱、英飞凌、西门康、仙童、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、单管、整流桥产品;

  3、CONCEPT、IDC驱动片及驱动板;

  4、巴斯曼(BUSSMANN),西门子,日之出等品牌熔断器、底座、熔芯等;



 磁敏二极管特性
磁敏二极管内部结构与普通二极管不同,在P区与N区之间有一线度远大于载流子扩散长度的髙纯空间电荷区——1区,在1区的一个侧面上,嵌有一载流子高复合区——R区,其基本结构如图1所示。该管采用电子与空穴双注入效应及复合效应来控制流过PN结的电流。在外界磁场的作用下,两效应作用结果以乘积取值。因此它具有很髙的探测灵敏度。当外界无磁场时,加正向电压,N区电子大部分注入P区空穴内,只有少数载流子在1区及R区复合,器件呈稳定状态。若外界加一正向磁场B+时,在正向磁场洛仑兹力的作用下,空穴及电子运动方向均偏向R区,空穴及电子在R区的复合率极髙,因此大部分载流子在R区复合,则1区中载流子数目大为减少,R区电阻随之增大,压降亦增大,从而循环产生正反馈,使该管外部表现为电阻增大,电流减小,压降增大;反之,外界加B-时,则外部表现为电阻减小,电流增大,压降减小。
磁敏二极管的电压输出特性,在弱磁场作用下,输出电压(U)与磁感应强度(B)成正比呈线性关系,磁敏二极管的伏安特性如图6所示。在磁感应强度B不同时,有着不同的伏安特性曲线,AB为负载线。由图可以看出,通过磁敏二极管的电流越大,在同一磁场作用下,输出电压越髙,灵敏度也越髙。在负向磁场作用下,其电阻小、电流大;在正向磁场作用下,其电阻大,电流小。
在选择该管时还要注意一些重要的参数,额定工作电压:V0;工作电流:L0;及使用频限f0。

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