产品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | FUJI | ||
| 系列 | IGBT系列 | ||
| 封装 | 标准封装 | ||
| 批号 | new | ||
| 可控硅类型 | 硅(si) | ||
| 种类 | 化合物半导体 | ||
| 数量 | 9999 | ||
| 售卖范围 | 全国 | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | 7MBR50VB120-50 | ||
IGBT?在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET?来运行的，只是在漏源电压Uds?下降过程后期，?PNP?晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on)?为开通延迟时间，tri?为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton?即为td?(on)?tri?之和，漏源电压的下降时间由tfe1?和tfe2?组成。
IGBT(Insulated?Gate?Bipolar?Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,?兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求；高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。2013年9月12日?我国自主研发的高压大功率3300V/50A?IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300V?IGBT模块通过，中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。
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