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产品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| SI1026X-T1-GE3 场效应管 VISHAY/威世 封装SC-89 批次23 品牌 | VISHAY/威世 | ||
| 封装 | SC-89 | ||
| 批号 | 23 | ||
| 数量 | 30000 | ||
| 制造商 | Vishay | ||
| 产品种类 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安装风格 | SMD/SMT | ||
| 封装 / 箱体 | SC-89-6 | ||
| 通道数量 | 2 Channel | ||
| 晶体管极性 | N-Channel | ||
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V | ||
| Id-连续漏极电流 | 500 mA | ||
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.4 Ohms | ||
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V | ||
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V | ||
| Qg-栅极电荷 | 600 pC | ||
| 最小工作温度 | - 55 C | ||
| 最大工作温度 | 150 C | ||
| Pd-功率耗散 | 280 mW | ||
| 配置 | Dual | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 高度 | 0.6 mm | ||
| 长度 | 1.66 mm | ||
| 系列 | SI1 | ||
| 晶体管类型 | 2 N-Channel | ||
| 宽度 | 1.2 mm | ||
| 正向跨导 - 最小值 | 200 mS | ||
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns | ||
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | ||
| 零件号别名 | SI1026X-GE3 | ||
| 单位重量 | 32 mg | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | SI1026X-T1-GE3 | ||
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