主营产品：碳化硅晶片、氮化镓晶片、磷化铟晶片、锑化铟晶片等
15306096621（手机）
联系我时请说机电之家的，给你优惠哦
.jpg)
| 数量() | 面议 |
| 1 |
| 详细参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 中芯晶研 | 规格型号 | 完善 |
| 编号 | 齐全 | 计量单位 | 1 |
| 付款方式 | 面议 | 参考价格 | \u9762\u8bae |
| 价格单位 | 人民币 | 供货量 | 不限 |
| 说明书，报价手册及驱动 | 暂无相关下载 | 其他资料下载 | 暂无相关下载 |
| 产地 | 福建厦门 | 发货地 | 福建厦门 |
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 中芯晶研 | ||
| 批号 | 最新 | ||
| 封装 | 单片包装 | ||
| 包装 | 盒装 | ||
| 数量 | 10 | ||
| 晶向 | （111）、（110） | ||
| 直径 | 2、3、4英寸 | ||
| 应用 | 半导体器件 | ||
| 可售卖地区 | 全国 | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | N型、P型 | ||
砷化铟（InAs）是一种由铟和砷组成的直接跃迁半导体，类似于砷化镓，其禁带宽度为0.45eV（300K）。其外观为灰色立方晶体，熔点为942°C，晶格常数为0.6058nm，砷化铟晶体结构为闪锌矿结构。砷化铟以其高电子迁移率和窄能带隙而众所周知，被广泛用作太赫兹辐射源。
可供N型和P型半导体砷化铟晶片，规格参数如下：
1. 砷化铟单晶片规格
.jpg)
2. InAs晶片应用
InAs单晶具有高电子迁移率，是制造霍尔器件的理想材料。此外，InAs晶片的发射波长为3.34μm，在InAs衬底上可以生长晶格匹配的InGaAsSb、InAsPSb和InAsSb多外延材料，以制造2～4μm波段的光纤通信激光器和探测器。
更多产品信息或疑问请邮件咨询：vp@honestgroup.cn
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
免责声明：所展示的信息由会员自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责，机电之家网对此不承担任何责任。机电之家网不涉及用户间因交易而产生的法律关系及法律纠纷，纠纷由您自行协商解决。
友情提醒：本网站仅作为用户寻找交易对象，就货物和服务的交易进行协商，以及获取各类与贸易相关的服务信息的平台。为避免产生购买风险，建议您在购买相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。过低的价格、夸张的描述、私人银行账户等都有可能是虚假信息，请采购商谨慎对待，谨防欺诈，对于任何付款行为请您慎重抉择！如您遇到欺诈等不诚信行为，请您立即与机电之家网联系，如查证属实，机电之家网会对该企业商铺做注销处理，但机电之家网不对您因此造成的损失承担责任！
您也可以进入“消费者防骗指南”了解投诉及处理流程，我们将竭诚为您服务，感谢您对机电之家网的关注与支持！
{{msg.senderNick}}{{formattedTime(msg.time)}}
{{msg.senderNick}}{{formattedTime(msg.time)}}
