主营产品：可控硅模块，整流桥二极管，快恢复二极管模块
15312165678（销售经理）
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| 数量() | 价格 |
| 1 | 170.0000元/ |
￥250.00
| 详细参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 艾赛斯 | 规格型号 | 完善 |
| 编号 | 齐全 | 计量单位 | 1 |
| 付款方式 | 面议 | 参考价格 | 170.0000 |
| 价格单位 | 人民币 | 供货量 | 不限 |
| 说明书，报价手册及驱动 | 暂无相关下载 | 其他资料下载 | 暂无相关下载 |
| 产地 | 江苏省苏州市 | 发货地 | 江苏省苏州市 |
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 艾赛斯 | ||
| 批号 | 23 | ||
| 数量 | 2055 | ||
| 制造商 | IXYS | ||
| 产品种类 | 分立半导体模块 | ||
| RoHS | 是 | ||
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 30 V | ||
| 30 V | |||
| 安装风格 | Screw Mounts | ||
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 | ||
| 最小工作温度 | - 55 C | ||
| 最大工作温度 | 150 C | ||
| 系列 | 650V Ultra Junction X2 | ||
| 配置 | Single | ||
| 下降时间 | 12 ns | ||
| Id-连续漏极电流 | 108 A | ||
| 通道数量 | 1 Channel | ||
| Pd-功率耗散 | 890 W | ||
| Rds On-漏源导通电阻 | 24 mOhms | ||
| 上升时间 | 23 ns | ||
| 晶体管极性 | 86 ns | ||
| 典型关闭延迟时间 | 64 ns | ||
| 典型接通延迟时间 | 650 V | ||
| Vds-漏源极击穿电压 | 2.7 V | ||
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 30 g | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | IXFN120N65X2 | ||
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