产品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | CH（程华） | ||
| 封装 | DFN5x6 | ||
| 批号 | 2024 | ||
| 数量 | 10000 | ||
| 沟道类型 | N P双沟道MOS管 | ||
| 漏源电压（Vdss） | 30V | ||
| 漏极电流(Id) | 30A | ||
| 漏源导通电阻(RDS On) | 10mΩ | ||
| 栅源电压(Vgs) | ±20V | ||
| 栅极电荷(Qg) | 13.5nC | ||
| 最大耗散功率 | 5.4W | ||
| 工作温度范围 | -55 -150℃ | ||
| 应用领域 | 智能家居 汽车电子 | ||
| 环保认证 | RoHS 认证 | ||
| 阈值电压(VGS(th)) | 2.0V | ||
| 输入电容(Ciss) | 570pF | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | CH1030SN | ||
友情提示：深圳市程华电子有限公司主营宽电压DC-DC恒流恒压IC芯片、中低压MOS管、二极管及可控硅，其中MOS管为自有品牌CH。我们为客户提供售前、售中、售后的全流程服务，产品型号丰富多样。为节省您的时间，建议产品选型前先与客服沟通。此外，部分产品支持免费提供样品，具体详情可向客服咨询。
概述
CH1030SN结合先进的N P双沟道MOSFET技术与低电阻封装，实现极低的导通电阻RDS(ON)。它集成了一个 N 沟道 MOSFET 和一个 P 沟道 MOSFET。
CH1030SN漏极电压VDS1=30V；VDS2=-30V
CH1030SN漏极电流ID1=30A；ID2=-30A
CH1030SN导通电阻RDS(ON)1=10mΩ；RDS(ON)2=11mΩ
CH1030SN采用DFN5×6封装
CH1030SN工作稳定范围在-55℃~150℃
特性
◆?先进的高单元密度沟槽技术
◆?低导通电阻RDS(ON)??，降低传导损耗
◆?低栅极电荷，实现快速开关
◆ 单封装双芯片
应用
◆ 笔记本电脑电源管理
◆ ?无刷直流（BLDC）电机驱动器
规格书
