产品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | CH（程华） | ||
| 封装 | DFN3x3 | ||
| 批号 | 2024 | ||
| 数量 | 10000 | ||
| 沟道类型 | P沟道MOS管 | ||
| 漏源电压（Vdss） | -30V | ||
| 漏极电流(Id) | -20A | ||
| 漏源导通电阻(RDS On) | 27mΩ | ||
| 栅源电压(Vgs) | ±25V | ||
| 栅极电荷(Qg) | 50nC | ||
| 工作温度范围 | -55~150℃ | ||
| 应用领域 | 家用电器 汽车电子 | ||
| 环保认证 | RoHS 认证 | ||
| 最大耗散功率(Pd(max)) | 17W | ||
| 阈值电压(VGS(th)) | -2.5V | ||
| 输入电容(Ciss) | 1294pF | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | CH30P03N | ||
友情提示：深圳市程华电子有限公司主营宽电压DC-DC恒流恒压IC芯片、中低压MOS管、二极管及可控硅，其中MOS管为自有品牌CH。我们为客户提供售前、售中、售后的全流程服务，产品型号丰富多样。为节省您的时间，建议产品选型前先与客服沟通。此外，部分产品支持免费提供样品，具体详情可向客服咨询。
概述
CH30P03N结合先进的P沟道MOSFET技术与低电阻封装，实现极低的导通电阻RDS(ON)。此器件适用于负载开关和电池保护应用。
CH30P03N漏极电压VDS=-30V；漏极电流ID=-20A
CH30P03N典型导通电阻RDS(ON)Typ=18mΩ（VGS=-10V时）
CH30P03N采用DFN3×3封装
CH30P03N工作稳定范围在-55℃~150℃
特性
◆?先进的高单元密度沟槽技术
◆?低导通电阻RDS(ON)??，降低传导损耗
◆?低栅极电荷，实现快速开关
◆?低热阻
应用
◆?主板/显卡核心供电
◆? 开关电源二次侧同步整流
◆? 负载点（POL）应用
◆? 无刷直流（BLDC）电机驱动器
规格书
