产品详情
NCE2007N 2007N
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
N沟道增强型功率MOSFET |
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漏源极击穿电压(最大) |
20V |
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连续漏极电流(最大) |
6.5A |
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功率耗散(最大) |
1.5W |
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栅源极击穿电压 |
12V |
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漏源导通电阻(典型值)(4.5V) |
14.5mΩ |
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封装 |
SOT23-6L |
深圳市润得源电子有限公司
叶女士
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