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电容器的选用方法
一.选择合适的型号
根据电路要求，一般用于低频耦合、旁路去耦等，电气性能要求较低时，可以采用纸介电容器、电解电容器等。
晶体管低频放大器的耦合电容器，选用1～22μF的电解电容器。旁路电容器根据电路的工作频率来选，如在低频电路中，发射极旁路电容选用电解电容器，容量在10～220μF之间；在中频电路中，可选用0.01~0.1μF的纸介、金属化纸介、有机薄膜电容器等；在高频电路中应选择高频瓷介质电容器；若要求在高温下工作，则应选玻璃釉电容器等。 在电源滤波和退耦电路中，可选用电解电容器。因为在这些使用场合，对电容器性能要求不高，只要体积不大，容量够用就可以了。
对于可变电容器，应根据电容统调的级数，确定应采用单联或多联的可变电容器，然后根据容量的变化范围、容量变化曲线、体积等要求确定相应品种的电容器。
二.合理确定电容器的容量和误差
电容器容量的数值，必须按规定的标称值来进行选择。
电容器的误差等级有多种，在低频耦合、去耦、电源滤波等电路中，电容器可以±5%、±10%、±20%等误差等级，但在振荡回路、延时电路、音调控制电路中，电容器的精度要稍高一些；在各种滤波器和各种网络中，要求选用高精度的电容器。
第三：耐压值的选择
为保证电容器的正常工作，被选用的电容器的耐值不仅要大于实际工作电压，而且还要留有足够的余地，一般选用耐压值为实际工作电压两倍以上的电容器。
第四：注意电容器的温度系数，高频特性等参数
在振荡电路中的振荡元件、移相网络元件、滤波器等，应选用温度系数小的电容器，以确保其性能。
贴片电容介绍：
贴片电容名片式积层电容是一次性高温烧结而成的也是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合而成。
贴片电容内部结构简介：
贴片电容主要包括三大部分：陶瓷介质、内电极、端电极.其中陶瓷介质的主要作用是在电场作用下，极化介电储能。当电场变化时极化率相应发生变化时，由于不同介质种类的主要极化类型不同，其对电场变化的响应速度和极化率也不相同。
电极分为内电极与端电极。其中内电极位于贴片电容器内部，主要提供电极板正对面积，它与介质一般是交替叠放。
贴片电容是一种小型电容器，它的封装规格有0201 0402 0603 0805 1206等几种，材质有X7R Z5U Y5V NPO四种，最常用的是X7R与NPO材质。
贴片电容介质强度表征的是介质材料承受高强度电场作用而不被电击穿的能力,通常用伏特/密尔(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表示. 当外电场强度达到某一临界值时,材料晶体点阵中的电子克服电荷恢复力的束缚并出现场致电子发射,产生出足夠多的自由电子相互碰撞导致雪崩效应,进而导致突发击穿电流击穿介质,使其失效.除此之外,介质失效还有另一种模式,高压负荷下产生的热量会使介质材料的电阻率降低到某一程度,如果在这个程度上延续足夠长的时间,将会在介质最薄弱的部位上产生漏电流.这种模式与温度密切相关,介质强度隨温度提高而下降.
任何绝缘体的本征介质强度都会因为材料微结构中物理缺陷的存在而出现下降,而且和绝缘电阻一样,介质强度也与几何尺寸密切相关.由于材料体积增大会导致缺陷隨机出現的概率增大,因此介质强度反比于介质层厚度.类似地,介质强度反比于片式电容器內部电极层数和其物理尺寸.基於以上考虑,进行片式电容器留边量设计时需要确保在使用过程中和在进行耐压测试(一般为其工作电压的2.5倍)時,不发生击穿失效.
正确选择一颗贴片电容时，除了要提供其规格尺寸及容量大小外，还必须特别注意到电路对这颗片式电容的温度系数、额定电压等参数的要求。贴片电容标准命名方法及定义：贴片电容的命名，国内和国外的产家有一此区别但所包含的参数是一样的
相信很多人被一个问题困扰着，那就是贴片电容容量不好识别，特别是个人使用有时候想换个电容都不知道要怎么换，为何贴片电容上面没有印字识别呢？首先贴片电容不同于电阻，电容材质是陶瓷产品，在生产中无法丝印字体上去，一般标识都贴在封装上面，所以大家在购买时要看好盘装上的标签。如果您不懂贴片电容转换法可参考我司另一篇新闻:贴片电容单位换算法
如果您需要替换电路中的电容却不知道它的容量，那只能使用万用表或者电桥测试出它的容量了。
贴片电容由6个部分构成
第一部份为：产品规格。
第二部份为：温度特性（又简称材质）。
第三部份为：额定电压。
第四部份为：额定容量。
第五部份为：额定容量的允许偏差。
第六部份为：包装方式。
【例】C2012 X7R 1H 102 K T 0000
（1） （2） （3）（4） （5） （6） (7)
尺 寸 （单位：mm）
TDK(代码)
额定电压 L W T
1005（C0402）1H，1E，1C，1A 1．00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05
1608(C0603) 1H，1E，1C，1A 1.6±0.1 0.8±0.1 0.8±0.1 (0.8+0.15/-0.10)
2012(C0805) 1H，1E，1C，1A 2.0±0.2 1.25±0.2 0.60±0.15 0.35±0.15 1.25±0.20
3216(C1206) 1H,1E,1C,1A,OJ 3.2±0.2 1.6±0.2 0.60±0.15 0.85±0.15
1.15±0.15 1.30±0.20 3.2+0.3/-0.1 1.6+0.3/-0.1 1.60+0.3/-0.1
3225(C1210) 1H, 1E, 1C 3.2±0.4 2.5±0.3 1.15±0.15 1.60±0.30 2.00±0.30
4532(C1812) 1H, 1E, 1C 4.5±0.4 3.2±0.4 1.30±0.20 1.60±0.30 2.00±0.30 2.30±0.30
5750(C2220) 1H, 1E, 1C 5.7±0.4 5.0±0.4 1.60±0.30 2.00±0.30 2.30±0.30 2.80±0.30
（2）温度特性：
项 目 性 能 项 目 性 能
静电容量温度特性（I类）
温度系（数PPM/℃）
COG：
0±30
C H
0±60
容量漂移：±0.2%或±0.05PF max (两大中取大者)
静电容量温度 特性（II类）
温度特性
变化率（%）
B±10 X5R±15X7R ±15
F+30-80
Y5V+22-82
（3）额定电压：
O J
DC 6.3V 1E
DC 25V 1 A
DC 10V 1H
DC 50V 1 C
DC 16V
( 4 )公称静电电容以３位数字法表示，单位为ＰＦ。前两位数字表示容量的有效值，第三位数字表示10的乘冂（即‘０’的个数）。字母‘Ｒ’表示非整数值之小数点，但首位数不得为‘０’。
【例】335→3，300，000PF（3.3UF） (33×105 =3,300,000PF)
080→8.0PF (8×100 =8.0Pf) 4R7→4.7PF
(5)静电容量允许容差
记号
C±0.25pf、D±0.5pf、J±5%、K±10%、M±20%、Z+80/-20%
允许容差
静电容量
10pf(含)以下
10PF以上
