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在各种真空沉积过程中, 薄膜被沉积在基底上. 这种沉积膜的性能取决于沉积膜基底表面的清洁度. 这种表面的污染会导致薄膜与基底的粘附力降低, 沉积后薄膜的降解速度更快, 导电薄膜的接触电阻更大, 光学薄膜的光学质量较差.
即使小心处理, 表面污染形式为吸附水蒸气和各种碳氢化合物是由于在沉积前暴露在实验室大气中造成的. 这种暴露也会导致在反应基底材料上形成天然氧化层. 为了去除这种表面污染, 当系统达到一定真空度, 为了使基片表面得到更致密的膜, 沉积薄膜之前, 对基底进行原位清洗非常有必要.
离子源通过加热灯丝产生离子束, 低浓度高能量宽束型离子源利用栅极控制离子束的浓度和方向, 离子束可选集中, 平行, 散设.
较低的背景压力是离子束清洗的主要优点, 通常在10-4Torr范围内, 分子的平均自由程比较长, 较长的路径极大地增加了污染物从基底表面去除后, 又返回到真空室的可能性. 提高系统的真空度, 保证较低的背景压力会最大限度地减少清洗和沉积步骤之间可能积聚的新污染. 经验法则是, 在10-6torr的污染背景压力下, 污染可以在1秒内累积. 重要的是污染物的背景压力才是最重要的.
KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列, 栅极灯丝型离子源, 通过加热灯丝产生电子, 提供低电流高能量离子束. 离子束可选聚焦,平行, 散设三种方式, KDC 系列离子源适用于离子溅镀和蒸发镀膜 PC, 辅助镀膜 ( 光学镀膜 ) IBAD, 表面改性, 激活 SM, 离子溅射沉积和多层结构 IBSD, 离子蚀刻 IBE 等.
网格离子源和无网格离子源都被用来产生用于原位清洗的离子束. 栅网离子源可以更好地控制离子束的覆盖范围, 无栅网（霍尔源）在最常用于清洁的低能离子束方面更具成本效益.
伯东KRI离子源在E-beam设备上的薄膜预清洗
离子源预清洗案例一: 国内某高校使用KRI 考夫曼离子源KDC40用于基片的预清洗来做表面改性, 有助于提高后续PVD镀膜的均匀性和提高薄膜的附着力.
上海伯东是美国 考夫曼离子源在中国的总代理商.
上海伯东是德国 Pfeiffer 真空设备, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.
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