产品详情
品牌toshiba东芝
型号2sa1943
种类绝缘栅(mosfet)
沟道类型n沟道
导电方式增强型
用途s/开关
封装外形cer-dip/陶瓷直插
材料ge-n-fet锗n沟道
展开
2sa1943-o/2sc5200-o
点我去除广告
东芝音响功放对管2sa1943-o/2sc5200-o现货样品
东芝晶体管的硅pnp三重扩散型2sa1943功率放大器应用
?高集电极电压：vceo =230 v（分钟）?互补，以2sc5200?推荐100-w高保真音频放大器的输出级。
额定值（ta = 25°c）
特性符号额定值单位
集电极基极电压vcbo-230 v集电极 - 发射极电压vceo -230 v发射极 - 基极电压vebo -5 v集电极电流ic -15的基极电流ib -1.5集电极功率耗散（tc = 25°c）pc 150 w结温tj 150℃贮存温度范围tstg -55?150℃
单位：mm
2sa1943
电气特性（ta = 25°c）
特性符号测试条件***小值典型。单位
集电极截止电流icbo vcb = -230 v，ie = 0 - --5.0μa发射极截止电流iebo v eb = -5v，ic = 0 - - -5.0μa集电极 - 发射极击穿电压v（br ）ceo ic = -50毫安，ib = 0 -230 - - v的hfe（1）（注1）vce = -5v，ic = -1 55 - 160直流电流增益hfe（2）v ce = -5 v，ic = -7 a 35 60 - 集电极 - 发射极饱和电压vce（sat）的ic = -8 a，ib = -0.8 - -1.5 -3.0 v类基础 - 发射极电压vbe v ce = -5v，ic = -7 - -1.0 -1.5v，跃迁频率ft的v ce = -5v，ic = -1 a - 30 - mhz的集电极输出电容科夫v cb = -10 v，ie = 0，f = 1兆赫 - 360 - pf注1：hfe的（1）分类r：55?110，o：80?160
2sa1943 toshiba
注2：下一个批号的行识别产品标签的指示。没有下划线：[铅] /包括> mcv下划线：[[g] /符合rohs标准或[[g] / rohs指令[铅]
请联系您的东芝销售代表联系，以环境问题，如产品的rohs指令的兼容性。 rohs指令是关于在电子电气设备中使用某些有害物质的限制指令2011/65 /eu欧洲议会和2011年6月的8理事会。
型号2sa1943
种类绝缘栅(mosfet)
沟道类型n沟道
导电方式增强型
用途s/开关
封装外形cer-dip/陶瓷直插
材料ge-n-fet锗n沟道
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东芝晶体管的硅pnp三重扩散型2sa1943功率放大器应用
?高集电极电压：vceo =230 v（分钟）?互补，以2sc5200?推荐100-w高保真音频放大器的输出级。
额定值（ta = 25°c）
特性符号额定值单位
集电极基极电压vcbo-230 v集电极 - 发射极电压vceo -230 v发射极 - 基极电压vebo -5 v集电极电流ic -15的基极电流ib -1.5集电极功率耗散（tc = 25°c）pc 150 w结温tj 150℃贮存温度范围tstg -55?150℃
单位：mm
2sa1943
电气特性（ta = 25°c）
特性符号测试条件***小值典型。单位
集电极截止电流icbo vcb = -230 v，ie = 0 - --5.0μa发射极截止电流iebo v eb = -5v，ic = 0 - - -5.0μa集电极 - 发射极击穿电压v（br ）ceo ic = -50毫安，ib = 0 -230 - - v的hfe（1）（注1）vce = -5v，ic = -1 55 - 160直流电流增益hfe（2）v ce = -5 v，ic = -7 a 35 60 - 集电极 - 发射极饱和电压vce（sat）的ic = -8 a，ib = -0.8 - -1.5 -3.0 v类基础 - 发射极电压vbe v ce = -5v，ic = -7 - -1.0 -1.5v，跃迁频率ft的v ce = -5v，ic = -1 a - 30 - mhz的集电极输出电容科夫v cb = -10 v，ie = 0，f = 1兆赫 - 360 - pf注1：hfe的（1）分类r：55?110，o：80?160
2sa1943 toshiba
注2：下一个批号的行识别产品标签的指示。没有下划线：[铅] /包括> mcv下划线：[[g] /符合rohs标准或[[g] / rohs指令[铅]
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