主营产品：IGBT模块，光耦，碳化硅
18171495162（销售经理）
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| 数量(个) | 价格 |
| 1 | 1元/个 |
| 详细参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 派恩杰 | 规格型号 | P3M12080K3 |
| 编号 | 齐全 | 计量单位 | 1个 |
| 付款方式 | 面议 | 参考价格 | 1 |
| 价格单位 | 人民币 | 供货量 | 不限 |
| 说明书，报价手册及驱动 | 暂无相关下载 | 其他资料下载 | 暂无相关下载 |
| 产地 | 杭州 | 发货地 | 武汉 |
派恩杰半导体成立于2018年9月，是中国第三代半导体功率器件的领先品牌，主营碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化镓HEMT等功率器件产品。公司拥有国内最全碳化硅功率器件产品目录，碳化硅MOSFET与碳化硅SBD产品覆盖各个电压等级与载流能力，并且均通过AEC-Q101车规级测试认证。可以满足客户的各种应用场景，为客户提供稳定可靠的车规级碳化硅功率器件产品。
派恩杰半导体拥有深厚的技术底蕴和全面的产业链优势，创始人黄兴博士于09年起深耕于碳化硅和氮化镓功率器件的设计和研发，师承IGBT发明人B. Jayant Baliga教授和ETO晶闸管发明人Alex Q. Huang教授。目前，派恩杰半导体在650V、1200V、1700V三个电压平台已发布100余款不同型号的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模块和GaN HEMT产品，量产产品已在电动汽车、IT设备电源、光伏逆变器、储能系统、工业应用等领域广泛使用，为各个应用领域头部客户持续稳定供货，且产品质量与供应能力得到客户的广泛认可。
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