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IGBT模块动态特性测试系统STA3500
陕西天士立科技有限公司
专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验
IGBT模块动态特性测试系统STA3500
电气配置
高压源/VCC：1500V/3300V/5000V/10KV
高流源/IC：600A/1500A/3000A/6000A/10KA
短路电流/Isc：3000A/6000A/10KA（5-50µs）
驱动电压/VGE：±0.5~30V/±0.5~50V
Rg：0.5R、1R、2R、4R（支持手动和自动切换）
负载/L：10 50 150 500 1000 2000 uH
电流/I：6000 3000 1500 600 400 200 A
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IGBT模块动态特性测试系统STA3500
测试条件
Vcc范围：50-3300
VIC范围：50-200A（雪崩条件）
IC范围：50-1500A
L电感：10/50/150/5001000/2000uH
VGE（on/off）：±30V(电压可设置)
tp测试时间：10-1000us（自动计算）
twsoff脉冲间隔：10-50us（可设置）
电阻范围：0.5R、1R、2R、4R(Qg条件）
IscMAX（最大）：6KA/10KA(SC条件）
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IGBT模块动态特性测试系统STA3500
试验能力
标配，开关特性/Turn_ON/OFF_L
标配，二极管反向恢复特性/Qrr-FRD
标配，栅电荷/Qg
选配，短路特性/SC
选配，单/双脉冲安全工作区/RBSOA(Sp/Dp)
选配，雪崩耐量/UIS
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波形例举
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参数指标
标配（阻性/感性）开关测试单元/Turn_ON/OFF_L
1. 开通/关断时间ton/toff：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4%
2. 开通/关断延迟td(on)/td(off）：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4%
3. 上升/下降时间tr/tf：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4%
4. 开通/关断损耗Eon/Eoff：0.5-10000mJ解析度：0.1mJ
5. 关断拖尾时间tz：10-10000ns解析度/精度：1ns@±4%
6. 导通/关断峰值电压Vce/VCEpk：50-1400V解析度/精度：1V@±4%
7. 通态峰值电流Ipeak/Ic：20-1500A解析度/精度：1A@±4%
标配 二极管反向恢复测试单元/Qrr_FRD
1. 反向恢复时间Trr：10-1000ns解析度和精度：1ns@±4%
2. 最大反向电流Irm：20A-1500A解析度：1A
3. 反向恢复电荷Qrr：1nC-30000µC解析度：1nC
4. 反向恢复损耗Erec：0.5-10000mJ，解析度：0.1mJ
5. di/dt@dv/dt：10A-8000A/us@0.2-5KV/us
6. 反向关断峰值电压VRRpk：50-1400V解析度和精度：1ns@±4%
7. 正向关断电流IFM：20A-1500A解析度和精度：1ns@±4%
标配 栅极电荷单元/Qg
1. 阈值电荷Qg(th)：20nC~20uC解析度/精度：1uC@±4%
2. 栅电荷Qg：20nC~20uC解析度/精度：1uC@±4%
3. 平台电压vg：.-10V~+20v解析度/精度：0.1V@±2%
4. 栅源电荷Qgs：20nC~20uC解析度/精度：1uC@±4%
5. 栅漏电荷Qgd：20nC~20uC解析度/精度：1uC@±4%
选配 短路特性测试单元/SCSOA
1. 短路电流Isc：6000A解析度/精度：1A@±4%
2. 短路时间Tsc：5~100us
选配 安全工作区/RBSOA
1. RBSOA：VCE/50-1.4KV，Ic/20-2KA
2. VCE/Ic解析度/精度：1V/1A@±4%
选配 雪崩特性测试单元/UIS
1. 单/重复脉冲雪崩能量EAS/EAR：1~2000J解析度：0.1mJ
2. 单脉冲雪崩电流IAS：5-200A解析度和精度1A@±4%
3. 单脉冲雪崩功率PAS：最大140KW
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