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硝酸铈铵（CAN）是铬版掩膜专用湿法蚀刻的核心化学品，凭借高选择性、可控速率与低侧蚀，成为半导体 / 面板光掩模制造的主流蚀刻体系。
表格
| 组分 | 浓度 | 作用 |
|---|---|---|
| 硝酸铈铵（CAN） | 10–20 wt% | 主氧化剂，蚀刻铬膜 |
| 高氯酸（\(\ce{HClO4}\)） | 1–3 wt% | 稳定剂 / 加速剂，防返黑、提均匀性 |
| 去离子水（DIW） | 余量 | 溶剂，控制离子强度 |
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典型参数：
- 外观：橙色透明液体，0.2 μm 过滤（低颗粒）
- 工作温度：25–35°C（恒温 ±0.5°C）
- 蚀刻速率：50–150 nm/min（25°C，100–200 Å/s）
- pH：<1（强酸性）
三、工艺流程（铬掩模制造）
- 基底准备：石英玻璃 / 硅片溅射 Cr 膜（50–600 nm）
- 光刻：涂布正 / 负胶→曝光→显影，形成图形化光刻胶掩模
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蚀刻（核心）：
- 浸渍 / 喷淋蚀刻：25–35°C，搅拌 300–500 rpm，时间 3–8 min
- 终点控制：定时 + 光学监控，避免过蚀刻
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后处理（关键）：
- 立即 DIW 冲洗→稀酸（1% HCl）轻漂→超纯水冲洗→N₂吹干 / 烘干
- 去胶：剥离光刻胶，完成铬掩模图形化
四、核心优势（对比其他蚀刻剂）
- 高选择性：不腐蚀石英、SiO₂、Si、Ti、Au等基底，仅蚀刻 Cr/CrN/CrSi
- 低侧蚀：各向同性可控，侧蚀率 < 10%，适合 1 μm 以下精细图形
- 光刻胶兼容：适配正胶（如 AZ 系列）、负胶及厚胶（SU-8）
- 稳定性好：寿命长（室温 1 年），蚀刻速率波动 < 5%
- 洁净度高：无重金属残留，符合半导体 FAB 要求
