产品详情
IXFN170N10
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 170 A, 0.01 ohm, ISOTOP, 模块
图片仅用于图解说明,详见产品说明。
晶体管极性:N沟道
漏源电压, Vds:100V
电流, Id 连续:170A
在电阻RDS(上):0.01ohm
晶体管封装类型:ISOTOP
晶体管安装:模块
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压 Vgs:4V
功耗 Pd:600W
针脚数:3引脚
工作温度最高值:150°C
产品类型:-
汽车质量标准:-



