产品详情
FET类型N-CHTechnology SystemMOSFET(Metal Oxide)封装SOT-227B漏源电压200V连续漏极电流188ADrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V源漏开态电阻10.5mOhmVgs(th)4.5 VGate Charge (Qg)255nCVgs (Max)20VInput Capacitance (Ciss)18600pF消耗电力1070W
主营产品:IGBT、场效应管、三相整流桥、快恢复二极管、晶闸管、可控硅模块
| 数量(个) | 价格 |
| 1 | 120元/个 |
¥110.00
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FET类型N-CHTechnology SystemMOSFET(Metal Oxide)封装SOT-227B漏源电压200V连续漏极电流188ADrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V源漏开态电阻10.5mOhmVgs(th)4.5 VGate Charge (Qg)255nCVgs (Max)20VInput Capacitance (Ciss)18600pF消耗电力1070W
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