产品详情
STP4925 规格和参数介绍:
STP4435A替代Si9804、AO4419、AO4411、Si4425、Si4435、Si4431、AO4405E、AO4449、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4405、Si4431CDY、SM4310PSK、SM4915PSK、AO4415、AO4459
描述 特征
stp4435是P沟道增强型功率场效应晶体管逻辑
它是利用高密度,DMOS器件沟道技术。这种高密度
过程是特别定制,以尽量减少对国家的阻力。这些器件
特别适合于低电压应用,如液晶显示器背光,笔记本电脑等
计算机电源管理和其他电池供电电路。
-30V / -9.2a,RDS(上)= - 22mΩ(典型值
@ VGS = - 10V
-30V / -7.0a RDS(ON)=30mΩ
@ VGS = 4.5v
超高密度电池设计
极低的RDS(on)
特殊的阻力和最大值
直流电流的能力
SOP-8封装设计






