FZ400R65KE3 IGBT模块：高功率中压应用的核心解决方案

核心参数

• 阻断电压：6500V DC（@Tvj=25℃）

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• 连续电流：400A（@150℃结温）

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• 开关频率：15kHz（优化中频应用）

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• 封装形式：EconoDUAL™3紧凑型封装（工业级高可靠性设计）

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• 热阻：

  • 结-外壳热阻（RthJC）：15.0 K/kW

  • 外壳-散热器热阻（RthCH）：13.8 K/kW（含导热硅脂）

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• 绝缘性能：

  • 爬电距离：端子至散热器64.0mm，端子至端子56.0mm

  • 电气间隙：端子至散热器40.0mm，端子至端子26.0mm

  • 局部放电熄弧电压：5.1kV（@50Hz）

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技术优势

1. 极端环境适应性

   • 宽温运行：支持-55℃~175℃存储温度，结温耐受范围-50℃~125℃

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   • 抗振动设计：通过IEC 60068-3-7核电磁脉冲防护测试，适配高铁、船舶等高频振动场景

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2. 能效优化

   • 低导通损耗：Vce(sat)≤3.4V（@400A），较同类产品降低18%

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   • 低开关损耗：开通损耗Eon=2250mJ（@400A, 3600V），关断损耗Eoff=2000mJ

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3. 可靠性设计

   • AlSiC基板：提供更高的温度循环能力（-55℃~175℃），寿命达10万小时

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   • 加强绝缘封装：10.4kV AC 1分钟耐压，符合IEC 60747标准

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应用场景

• 轨道交通：高铁/地铁牵引变流器（适配2MW级机车）、机车辅助电源系统

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• 工业自动化：百万吨级液压机电源、超导磁体励磁系统（如核磁共振设备）

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• 能源与电力：中压变流器、电网储能系统逆变器

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封装与认证

• 封装特性：

  • 碳化硅铝（AlSiC）基板，提升导热效率。

  • 铜基板设计，支持高功率密度散热。

• 认证标准：

  • IEC 60747（半导体器件标准）

  • IEC 60068（环境可靠性测试）

  • UL 1557（工业安全认证）

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