产品详情
HY5DU121622DTP-D43,512Mb SDRAM存储器
特点
•VDD和VDDQ = 2.3V最小～最大2.7V（典型值2.5V运作+ / - 0.2V为DDR266，333）
•VDD和VDDQ = 2.4V最小～最大2.7V（典型值2.6V运作+0.1 / - 0.2V为DDR400，
400Mbps/pin产品和500Mbps/pin产品）
•所有输入和输出与SSTL_2兼容接口
•全差分时钟输入（CK，/ CK）操作
•双数据速率接口
•源同步 - 数据交易对齐双向数据选通（DQS）
•x16设备每份X8 2 bytewide数据选通信（UDQS，LDQS）的I / O
•在DQS数据输出边读（边DQ）数据输入关于DQS中心时写（居中DQ）
•在芯片的DLL对齐DQ和与CK过渡过渡DQS
•糖尿病掩膜写数据输入在数据选通脉冲的上升沿和下降沿
•所有的地址和控制输入除了数据，数据选通和锁存上升沿数据口罩
在时钟的
•可编程CAS延时2/2.5（DDR266，333）和3/4（DDR400，400Mbps/pin产品和500Mbps/pin产品）支持
•内部四组业务单脉冲/ RAS
•自动刷新和自刷新支持
•tRAS的锁定支持功能
•8192刷新周期
•60球FBGA封装类型
•无铅（* RoHS标准）
