产品详情
快恢复二极管（简称FRED）是一种具有开关特性好、反向恢复时间超短的半导体二极管，常用来给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离、输出和输入整流器，使开关器件的功能得到充分发挥。超快恢复二极管是用电设备高频化（20kHZ以上）和高频设备固态化发展不可或缺的重要器件。
构造分类
半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：
键型
键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔金或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
台面型
PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。
平面型
在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。
20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C20-04型快恢复二极管（单管）的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装，
几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。
快恢复二极管DSEI2x61-02A原装现货技术参数价格资料
价格：1
产品种类: 快恢复二极管
制造商: IXYS
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-227B-4
Vr - 反向电压 : 200 V
If - 正向电流: 71 A
类型: Fast Recovery Rectifiers
配置: Dual Parallel
Vf - 正向电压: 1.08 V
最大浪涌电流: 950 A
Ir - 反向电流 : 50 uA
恢复时间: 50 ns
系列: DSEI2X61-02
封装: Tube
商标: IXYS
高度: 12.22 mm
长度: 25.42 mm
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 40 C
工作温度范围: - 40 C to + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
产品: Rectifiers
工厂包装数量: 10
宽度: 38.20 mm
单位重量: 38 g
快恢复二极管的特点
超快恢复时间
大电流能力
高抗浪涌电流能力
低正向压降
低反向漏电流
芯片与底板电气绝缘
2500V交流电压
国际标准封装
在逆变装置中，输入整流器常用来向直流环电容器充电，并很好地调节DC电压，若逆变装置不要求把能量反馈到交流电网，则交流整流可以采用不可控的单相或三相整流桥。为了限制最初对直流环电容器充电时所产生的冲击电流，以免损坏整流桥，一般采用下列的一种方法来实现：
（1）采用一个负温度系数（NTC）电阻器与输入整流器串接的方法。但这种方法仅对小功率逆变装置有用。
（2）采用在输入整流器的正直流输出端上串接一个充电电阻的方法。为了降低电阻上的功耗和提高装置的效率，当电容器充电到最大电压值时，通常采用有限寿命的机械接触器来短接充电电阻。
（3）采用半控整流桥的方法。采用慢慢增加晶闸管触发角的方法，以实现软起动的目的，因而限制了电容器充电时的冲击电流，当电容器充满电后，进入正常时，电桥内的晶闸管就像整流二极管一样工作。
工作原理
二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
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构造分类
半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：
键型
键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔金或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
台面型
PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。
平面型
在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。
20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C20-04型快恢复二极管（单管）的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装，
几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。
快恢复二极管DSEI2x61-02A原装现货技术参数价格资料
价格：1
产品种类: 快恢复二极管
制造商: IXYS
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-227B-4
Vr - 反向电压 : 200 V
If - 正向电流: 71 A
类型: Fast Recovery Rectifiers
配置: Dual Parallel
Vf - 正向电压: 1.08 V
最大浪涌电流: 950 A
Ir - 反向电流 : 50 uA
恢复时间: 50 ns
系列: DSEI2X61-02
封装: Tube
商标: IXYS
高度: 12.22 mm
长度: 25.42 mm
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 40 C
工作温度范围: - 40 C to + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
产品: Rectifiers
工厂包装数量: 10
宽度: 38.20 mm
单位重量: 38 g
快恢复二极管的特点
超快恢复时间
大电流能力
高抗浪涌电流能力
低正向压降
低反向漏电流
芯片与底板电气绝缘
2500V交流电压
国际标准封装
在逆变装置中，输入整流器常用来向直流环电容器充电，并很好地调节DC电压，若逆变装置不要求把能量反馈到交流电网，则交流整流可以采用不可控的单相或三相整流桥。为了限制最初对直流环电容器充电时所产生的冲击电流，以免损坏整流桥，一般采用下列的一种方法来实现：
（1）采用一个负温度系数（NTC）电阻器与输入整流器串接的方法。但这种方法仅对小功率逆变装置有用。
（2）采用在输入整流器的正直流输出端上串接一个充电电阻的方法。为了降低电阻上的功耗和提高装置的效率，当电容器充电到最大电压值时，通常采用有限寿命的机械接触器来短接充电电阻。
（3）采用半控整流桥的方法。采用慢慢增加晶闸管触发角的方法，以实现软起动的目的，因而限制了电容器充电时的冲击电流，当电容器充满电后，进入正常时，电桥内的晶闸管就像整流二极管一样工作。
工作原理
二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
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