产品详情
生产型 高真空磁控溅射及离子辅助复合镀膜机（PVD-1000B系列）该设备采用磁控溅射、离子辅助、反应溅射的工艺方法，在工件表面制备各种薄膜材料。该设备是集成了工件表面处理、离子清洗、颗粒物控制、磁控溅射、离子辅助镀膜及反应溅射镀膜等工艺方法于一体的PVD设备。
可以制备单层膜、多层膜、掺杂膜、金属膜及合金膜、化合物薄膜等。
设备结构及性能参数
真空室为圆柱形、上开盖、前开门结构；使用材料均为奥氏体不锈钢304/321，表面电化学抛光处理，无微观毛刺，不会藏污纳垢。
磁控溅射靶为矩形，沿真空室壁的圆周排列，可调整靶面与工件的距离。
样品架为圆筒形，样品装载数量大；旋转运动为齿轮驱动式，动力直连输入，经齿轮驱动样品台转盘旋转，运行平稳，无抖动；密封可靠，故障率低。
加热系统采用红外加热器，对真空环境无污染，加热均匀；采用具有PID功能的智能温控仪控制加热功率。
电气控制及操作系统工作稳定可靠，操作界面清晰大方，便于操作。
系统安全保护设置齐全，设备启动后可实行无人运行。
设备重点性能参数
| 极限真空度 | 8X10^-5Pa |
| 工作背景真空度 | 8X10^-4Pa |
| 工作背景真空到达时间 | ＜40min（空气湿度低于45％；开门时间＜30min条件下从大气抽到工作真空度时间) |
| 样品加热温度 | 室温~300℃ |
| 样品架公转速度 | 3~10r/min连续可调 |
| 片内膜层均匀性 | ＜5% |
| 片间膜层均匀性 | ＜5% |
| 磁控靶数量 | 3靶（可根据用户工艺扩展靶位） |
| 真空清洗离子靶 | 1靶 |
关于我们
鹏城微纳技术（沈阳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点，寻求创新yin*ling与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。
鹏城微纳技术（沈阳）有限公司是鹏城半导体技术（深圳）有限公司全资子公司，是半导体和泛半导体工艺和装备的设计中心和生产制造基地。
公司核心业务是微纳技术与gao*duan精密制造，具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造，可为用户提供工艺研发和打样，可为生产企业提供生产型设备，可为科学研究提供科研设备。
公司人才团队知识结构完整，有工程师哈工大教授和博士，为核心的高水平材料研究和工艺研究团队，还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。
公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备xian*jin的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。
公司团队技术储备及创新能力
1998~2002
-设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延硅基GaN
-设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机
2005
-设计制造了中国di*yi台wan*quan自主知识产权的MBE(分子束外延设备)，用于外延光电半导体材料
2007
-设计超高温CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生长
-设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）
2015
-设计制造了金刚石涂层制备设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜
2017
-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计
-开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备
2019
-设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备
2021
-鹏城半导体技术（深圳）有限公司成立
2022
-子公司鹏城微纳成立；
-热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货
-获得ISO9001质量管理体系证书
2023
-PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关；
-科技型中小企业-入库编号202344030500018573；
-创新型中小企业；
-获50+项知识产权zhuan*li；
-企业信用评价3A*信用企业；/ISO三体系认证；
-子公司晶源半导体成立
2024~2026
-与jun*gong和上市头部企业合作取得突破（X 光感受板及光电器件的薄膜生长等）
-鹏城微纳子公司扩产
-TGV/TSV/TMV
-微光探测、医疗影像、复合硬质涂层
-gao*xin*ji*shu企业
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