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NDF06N60ZG 场效应MOS管 ON安森美 TO-220F

NDF06N60ZG 场效应MOS管 ON安森美 TO-220F

数量(只) 面议
1
  • 供货总量： 电议
  • 最小起订： 1只
  • 发货地址： 深圳
  • 付款方式： 面议
  • 发布日期：2025-04-26
  • 访问量：853
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最新发布

第16年

广州广新电子有限公司

实名认证 企业认证
  • 企业地址：广州市越秀区惠福西路惠福电子广场二楼259A
  • 营业执照：已审核营业执照
  • 经营模式： 代理商-私营有限责任公司
  • 所在地区：广东 广州市
  • 家家通积分：23496分
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详细参数
品牌 ON安森美 规格型号 TO-220F
编号 齐全 计量单位 1只
付款方式 面议 参考价格 面议
价格单位 人民币 供货量 不限
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产地 进口 发货地 深圳

产品详情

原装现货供应 NDF06N60ZG 场效应MOS管 ON TO-220F600V  16A  31W 0.98Ω

 

FQP9N50
FQP9N50C
FQP10N20C
FQP10N60
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FQP19N20C
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LM337LZ 厂家:NSC 封装:TO-92 三端稳压




                     

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安森美半导体扩充功率开关产品阵容 推出高压MOSFET系列
　　应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体（ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号：ONNN）扩充公司市场领先的功率开关产品阵容，推出包括500伏特（V）和600 V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）系列。这些新方案的设计适合功率因数校正（PFC）和脉宽调制（PWM）段等高压、节能应用的强固要求，在这些应用中，加快导通时间及降低动态功率损耗至关重要。具体而言，这些方案非常适合用于游戏机、打印机和笔记本电源适配器，及应用于ATX电源、液晶显示器（LCD）面板电源和工业照明镇流器。

　　这些新的500 V和600 V器件是单N沟道MOSFET,以提供有竞争力的低导通阻抗（RDS（on））实现极低的功率耗散。这些器件使用平面条形（planar stripe）技术，能在极苛刻应用中工作。低门电荷降低开关损耗，还提高电源能效。这些器件的额定雪崩能量在电源应用中提供强固的工作。这些器件的优异性能组合帮助开发更高能效的电源子系统。


　　安森美半导体MOSFET产品分部副总裁兼总经理Paul Leonard说：“推出这些器件系列仅是安森美半导体进军高压功率MOSFET市场的第一步。我们战略性地进入了高压开关市场，提供充沛的500 V到600 V负载开关方案选择，更好地服务我们客户的总体电源管理需求。未来我们将继续扩充高压功率MOSFET产品阵容，为消费及工业客户提供针对性的方案。这些新器件的推出是安森美半导体不断加强其业界领先高能效电源方案供应商地位的又一实例。”


　　新推出的600 V MOSFET器件包括：


　　- NDD02N60Z-1G ,采用IPAK封装，每10,000片批量的单价为0.22美元


　　- NDD02N60ZT4G,采用DPAK封装，每10,000片批量的单价为0.22美元


　　- NDD03N60Z-1G,采用IPAK封装，每10,000片批量的单价为0.23美元


　　- NDD03N60ZT4G,采用DPAK封装，每10,000片批量的单价为0.23美元


　　- NDD04N60Z-1G,采用IPAK封装，每10,000片批量的单价为0.27美元


　　- NDD04N60ZT4G,采用DPAK封装，每10,000片批量的单价为0.27美元


　　- NDF04N60ZG,采用TO-220FP封装，每10,000片批量的单价为0.27美元


　　- NDF06N60ZG,采用TO-220FP封装，每10,000片批量的单价为0.36美元


　　- NDF10N60ZG,采用TO-220FP封装，每10,000片批量的单价为0.42美元


　　新推出的500 V MOSFET器件包括：


　　- NDD05N50Z-1G,采用IPAK封装，每10,000片批量的单价为0.29美元


　　- NDD05N50ZT4G,采用DPAK封装，每10,000片批量的单价为0.29美元


　　- NDF05N50ZG,采用TO-220FP封装，每10,000片批量的单价为0.29美元


　　- NDF08N50ZG,采用TO-220FP封装，每10,000片批量的单价为0.38美元

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