N3533ZC140

因元件开关损耗显着增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用. 　　
可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;
反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等. 　　
可控硅的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通. 　　
可控硅从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形. 　　
可控硅元件的结构 　　
西码平板可控硅

N990CH12
N990CH14
N990CH16
N750CH40
N750CH42
N750CH44
N750CH45
N1351VC400
N1351VC420
N1351VC440
N1351VC450
N2046NS120
N2046NS140
N2046NS160
N1661VC300
N1661VC320
N1661VC340
N1661VC360
N1712VC300
N1712VC320
N1712VC340
N1712VC360
N2293VC180
N2293VC200
N2293VC220
N2500VC120

N2500VC140
N2500VC160
N2172ZC400
N2172ZC420
N2172ZC440
N2172ZC450
N2543ZC240
N2543ZC260
N2543ZC280
N2543ZC300
N3012ZC200
N3012ZC220
N3012ZC240
N3012ZC260
N3533ZC140

富士IPM
6MBP15RH060
6MBP15RY060
6MBP15JB060
6MBP20JB060
6MBP20RH060
6MBP20RTA060
6MBP20RY060
6MBP30JE060
6MBP30RTA060
6MBP30RY060
6MBP30RTB060
6MBP30RH060
6MBP50JA060
6MBP50RA060
6MBP50JB060
6MBP50TEA060
6MBP50TE060
6MBP50RTA060
6MBP50RS060
6MBP50RH060
6MBP50NA060
6MBP50RTB060
6MBP75JA060
6MBP75NA060
6MBP75RTB060
6MBP75RS060
6MBP75RA060
6MBP75JB060
6MBP75RF060
6MBP75RH060
                                                         
6MBP25NA120
6MBP25RJ120
6MBP50RJ120
6MBP50JA120
6MBP50RS120
6MBP50RA120
6MBP75RAA120
6MBP75RJ120
6MBP75RS120
6MBP75RA120
6MBP75JA120
6MBP100JA120
6MBP100RS120
6MBP100RA120
6MBP150RTS120
6MBP150RS120
6MBP150RA120
6MBP150JA120
7MBR15SA060
7MBR30NE060
7MBR50NE060
7MBR50JC060
7MBP50RTB060
7MBP50RA060


5STP30H1801 
5STP08G6500 
5SND0800M170100
5SNE0800M170100
5SNA1600N170100
5SNA0800N330100
5SNA0650J450300
5SNA0400J650100
5SLD0600J650100
5SNA1800E170100
5SNA2400E170100
5SNA1200E250100
5SNA1200E330100
5SNA1500E330300
5SNA1200G330100
5SNA1000G450300
5SNA0600G650100
5SNA0900G450300
5SNA0800J330100
5SNA0800E330100
5SNE0800E330100

5STF13F1220
5STF15F1232
5STF18F1210
5STF06D1408
5STF06T1408
5STF07D1413
5STF07T1413
5STF07D1414
5STF07T1414
5STF09D1420
5STF09T1420
5STF16F1413
5STF17F1420
5STF06D2020
5STF06T2020
5STF07D2032
5STF07T2032
5STF12F2025
5STF12F2040
5STF14F2063
5STF15F2040
5STF05D2625
5STF05T2625
5STF06D2640
5STF06T2640
5STF10F3080
5STF11F3010
MCC95-16io1B IXFH32N50Q
MCC95-18io8B IXFH13N80
MCC95-18io1B IXFH13N80Q
MCC95-16 543E IXFH100N50P
MCO600-20io1 MII200-12A4
MCO500-14I01 IXFX32N50
MCD162-16IO1 IXEN60N120D1
IXYS晶体管模块  IXYS电力半导体模块  IXYS可控硅  IXYS可控硅模块
IXYS整流桥  IXYS整流桥模块  IXYS三相整流桥  IXYS单相整流桥
IXYS快恢复二极管  IXYS快速二极管  IXYS快恢复二极管模块  IXYS MOSFET
IXYS MOS管  IXYS MOS管模块  IXYS IGBT模块  艾赛斯晶体管模块
艾赛斯电力半导体模块  艾赛斯可控硅  艾赛斯可控硅模块  艾赛斯整流桥
艾赛斯整流桥模块  艾赛斯三相整流桥  艾赛斯单相整流桥  艾赛斯快恢复二极管
艾赛斯快速二极管  艾赛斯快恢复二极管模块  艾赛斯 MOSFET  艾赛斯 MOS管
艾赛斯 MOS管模块  艾赛斯 IGBT模块
三相整流桥
FUS45-0045B VRRM (V) 45 IDAVM (A) 20 IFSM 10ms Tvj=45°C (A) 150
VUE130-06NO7 VRRM (V) 600 IDAVM (A) 130 IFSM 10ms Tvj=45°C (A) 600
VUE22-06NO7 VRRM (V) 600 IDAVM (A) 34 IFSM 10ms Tvj=45°C (A) 50
VUE35-06NO7 VRRM (V) 600 IDAVM (A) 56 IFSM 10ms Tvj=45°C (A) 110
VUE75-06NO7 VRRM (V) 600 IDAVM (A) 86 IFSM 10ms Tvj=45°C (A) 250
VUO100-08NO7 VRRM (V) 800 IDAVM (A) 100 IFSM 10ms Tvj=45°C (A) 1000
VUO110-08NO7 VRRM (V) 800 IDAVM (A) 127 IFSM 10ms Tvj=45°C (A) 1200
VUO122-08NO7 VRRM (V) 800 IDAVM (A) 125 IFSM 10ms Tvj=45°C (A) 900
VUO16-08NO1 VRRM (V) 800 IDAVM (A) 15 IFSM 10ms Tvj=45°C (A) 100
VUO160-08NO7 VRRM (V) 800 IDAVM (A) 175 IFSM 10ms Tvj=45°C (A) 1800
VUO190-08NO7 VRRM (V) 800 IDAVM (A) 248 IFSM 10ms Tvj=45°C (A) 2800
VUO22-08NO1 VRRM (V) 800 IDAVM (A) 22 IFSM 10ms Tvj=45°C (A) 100
VUO25-08NO8 VRRM (V) 800 IDAVM (A) 25 IFSM 10ms Tvj=45°C (A) 380
VUO27-08NO7 VRRM (V) 800 IDAVM (A) 28 IFSM 10ms Tvj=45°C (A) 100
VUO28-08NO7 VRRM (V) 800 IDAVM (A) 28 IFSM 10ms Tvj=45°C (A) 100
VUO30-08NO3 VRRM (V) 800 IDAVM (A) 37 IFSM 10ms Tvj=45°C (A) 300
VUO34-08NO1 VRRM (V) 800 IDAVM (A) 36 IFSM 10ms Tvj=45°C (A) 300
VUO35-08NO7 VRRM (V) 800 IDAVM (A) 38 IFSM 10ms Tvj=45°C (A) 400