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该真空烧结退火炉是生产半导体器件和磁性材料烧结、退火工序中的重要设备。
主要技术指标：
1、工作温度：400～1250℃
2、单点温度控制精度≤±1℃/24h
3、恒温区长度：≥200mm/±1℃
4、升温功率：≤5KVA
5、升温时间：（室温至1050℃)≤75min
6、保温功率：≤3KVA
7、重新定值重复性：≤±1℃
8、重开机重复性：≤±1℃
冷态真空度：≤5 x 10-3Pa（打开扩散泵门后15min）
9、炉体传动升降分：自动及点动，速度无级调速，自动烧结烧结为0～30min
10、真空室尺寸：φ80㎜～φ300mm
11、设备外形尺寸：1703 x 703 x 2450 (mm)(长 x 宽 x 高）
12、重量：约600Kg
13、工作条件：(1)环境温度：10～45℃
(2)相对湿度：≤85%
(3)电网电压：220V ± 10% ～ 380V高温真空烧结炉、粉末冶金烧结炉、真空气氛烧结炉、太阳能烧结炉、微波烧结炉、烧结炉 玻璃烧结炉 高温烧结炉 试验烧结炉 坩埚烧结炉、热压烧结炉、真空热压烧结炉、超高温烧结炉、超高温反应烧结炉、聚四氟乙稀烧结炉、立式烧结炉、卧式真空炉、烧结炉、陶瓷烧结炉、链式炉、扩散系统、真空扩散炉、高温扩散炉、烘焙排腊炉、单管氢气炉、真空烧结炉、双工烧结炉、陶瓷烧结炉、马弗炉、消磁炉、温度控制系统、熔封炉、缝焊机、加压检漏台、压力机、时效炉
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