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CMP通常称为化学机械抛光(chemical mechanical planarization,CMP)或抛光哈默纳科机械磨头谐波SHA32Y120CG-B12B2。化学机械平坦化是实现多层金属技术的主要平坦化技术,它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面,在硅片表面和抛光头之间有磨料,并且施加一定压力。CMP设备工作原理,为平坦化加工原理图,哈默纳科机械磨头谐波SHA32Y120CG-B12B2)为带有多个磨头的CMP设备示意图。在抛光时一个磨头上装有一个硅片,在传送和抛光过程中,磨头依靠真空来吸附硅片。抛哈默纳科机械磨头谐波SHA32Y120CG-B12B2光时磨料由磨料喷嘴喷涂到抛光垫上,磨头和转盘的旋转运动实现了硅片的抛光。磨料与硅片的化学反应促进了抛光效果。