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DBC陶瓷敷铜烧结炉/氧化炉
DBC直接覆铜陶瓷基板采用DBC工艺制作，DBC英文简称是”Direct Bonding Copper”，直接覆铜陶瓷基板的意思。DBC陶瓷覆铜基板是采用陶瓷粉体如氧化铝，氮化铝，或者掺杂氧化锆，经过流延，烧结制成陶瓷基板，然后进行金属化，制备成陶瓷覆铜板。
直接覆铜（DirectBond Copper，简称DBC）陶瓷基板是一种将高绝缘性的氧化铝（Al2O3）或氮化铝（AlN）陶瓷基板覆上铜金属的新型复合材料。经由高温1065~1085℃的环境加热，使铜金属因高温氧化、扩散与陶瓷产生共晶熔体，使铜与陶瓷基板黏合，形成陶瓷复合金属基板；然后根据线路设计菲林贴膜曝光显影，通过蚀刻方式备制线路基板。 主要应用于功率半导体模块封装、制冷器及高温垫片。
本设备主要用于陶瓷覆铜箔在N2或N2、O2混合气氛条件下的高温氧化、烧结等高温热处理等，具体说明如下：
1额定温度：1100℃;更高温度：1150℃
2有效高度：80mm
3网带宽度：200mm
4网带材质：SUS314
5更大负载：50Kg/m2(不含网带自重)
6炉膛结构：采用大炉腔结构和厚10mm SUS310S马弗炉管结构
7传动系统：大包角摩擦传动
8调速范围：25～150mm/min，变频无级调速
9加热元件：陶瓷棒外绕高温合金丝(进口KANTHAL加热丝)
10烧结气氛：氮气+氧气
11气路组成：12路氮气，1路氧气，每路流量可调节(详见3.2技术说明)
12氧含量检测点：预热区、高温区1、高温区2、冷却区、混配出气口共五点不锈钢检测管路并联连接到氧分析仪，通过电磁阀来选择切换点，可实时检测炉内氧含量，方便调节与选择进气量大小
13氧含量(配氧分析仪表在线分析氧含量)：
预热区≤15ppm+气源氧含量
高温区1≤10ppm+气源氧含量
高温区2≤10ppm+气源氧含量
冷却区≤15ppm+气源氧含量(注：需保证氮气气源纯度99.999%)
14排气系统：进、出口过渡套各设置1个排气管(详见3.2技术说明)
15冷却方式：采用气冷和水冷相组合的方式冷却，冷却水套1点水温检测
16网带清洗方式：毛刷清洗
17结构划分：(详见3.1技术说明)
18控温稳定度：±1℃
19炉膛温度均匀度：±2℃(恒温区1100℃)
20升温速率：≤1.5℃/min
21温区个数：8个
22控温点数：8点
23热偶：K分度,美国瓦特龙
24报警指示：超温、变频器报警、断偶、低气压、低水压声光报警
25停电保护：加装手动摇出装置
26停带保护：进出口端板各设1个急停按键
27氮气工作压力：0.3～0.5Mpa
28氮气耗量：约12～15m3/h(立方米每小时)
29氧气工作压力：0.1～0.2Mpa
30氧气耗量：约1～3L/h(升每小时)
31气体混配装置：含进出口压力检测及缓冲阀
32冷却水耗量：约1～2m3/h(立方米每小时)
33冷却水工作压力：0.15～0.25MPa，进水温度小于30℃
34表面温升：<50℃
35出料温度：≤60℃
36加热功率：64kW
37空炉保温功率：≤25kW
38电源：容量大于85 KVA，3相5线，220/380VAC，50Hz
39重量：约1800Kg
40外形尺寸：9550×1200×1450mm(L×W×H)，不含(烟囱、指示灯)
