英飞凌 IGBT模块 FF200R12KT4

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武汉科琪电子

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详细参数
品牌INFINEON型号FF200R12KT4
用途其他封装外形螺丝型
材料IGBT绝缘栅比极相数其他
控制方式脉冲宽度调制(PWM)主电路形式其他
频率中频加工定制
导电沟道其他导电方式其他
产地匈牙利

产品详情

英飞凌全新原装

FF200R12KT4

一、电气参数

  1. 电气额定值
    • 集电极 - 发射极电压 (Vces):最大 1200V (1.2kV) 。
    • 集电极电流 (Ic):额定电流 200A(Tc=80°C),25°C 环境下连续集电极电流可达  。
    • 饱和压降 (VCE(sat)):典型值 1.75V(Tvj=25°C, Ic=200A) 。
  2. 封装与结构
    • 封装形式62mm标准封装,采用螺栓安装 (Screw Mount) 。
    • 内部配置:双 IGBT 半桥配置 (Dual IGBT, Half-bridge),内置优化发射极控制二极管 。
    • 技术代际:采用 Trench/Fieldstop IGBT4 技术,硅片结温高可达 175°C,运行温度可达 150°C
  3. 功率与热特性
    • 总功率耗散 (Ptot)1.1kW (Tc=25°C) 。
    • 热阻 (RthJC):结到外壳热阻约为 0.135 K/W
    • 工作温度范围-40°C 至 +150°C
       二、目标应用

工业电源—金属热处理

不间断电源

电机驱动

风电光伏系统

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