产品详情
英飞凌全新原装
FF200R12KT4
一、电气参数
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电气额定值:
- 集电极 - 发射极电压 (Vces):最大 1200V (1.2kV) 。
- 集电极电流 (Ic):额定电流 200A(Tc=80°C),25°C 环境下连续集电极电流可达 。
- 饱和压降 (VCE(sat)):典型值 1.75V(Tvj=25°C, Ic=200A) 。
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封装与结构:
- 封装形式:62mm标准封装,采用螺栓安装 (Screw Mount) 。
- 内部配置:双 IGBT 半桥配置 (Dual IGBT, Half-bridge),内置优化发射极控制二极管 。
- 技术代际:采用 Trench/Fieldstop IGBT4 技术,硅片结温高可达 175°C,运行温度可达 150°C。
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功率与热特性:
- 总功率耗散 (Ptot):1.1kW (Tc=25°C) 。
- 热阻 (RthJC):结到外壳热阻约为 0.135 K/W。
- 工作温度范围:-40°C 至 +150°C。
工业电源—金属热处理
不间断电源
电机驱动
风电光伏系统
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