产品详情
一、产品定位与品牌背景
德国 ADL（Analoge & Digitale Leistungselektronik GmbH）自 1992 年专注于离子源专用高压电源研发，总部位于达姆施塔特，产品以高精度、高稳定性、快速电弧保护为核心优势，广泛适配考夫曼、ECR 等主流离子源，是半导体、MEMS、先进传感器等微电子真空工艺的标准配套电源。GG03（300W） 作为 ADL 加速器电源系列的主力型号，专为微电子领域中小功率、纳米级精度的离子束工艺设计，额定输出 0-1000V/300mA/300W，精准匹配离子注入、离子束刻蚀（IBE）、离子束辅助沉积（IBAD）等核心制程。
二、核心技术参数（300W 额定）
电气性能
输出类型：负直流高压（加速极专用）
额定功率：300 W
输出电压：0~-1000 V DC（连续可调，0~100% 额定）
输出电流：0~300 mA DC（连续可调，0~100% 额定）
控制模式：恒压 / 恒流 / 恒功率三模式自由切换
输出精度：±1% 额定值（电压 / 电流 / 功率），保障工艺重复性
输入：230 V AC ±10%，50/60 Hz，单相，PE 接地，适配工业标准电网
控制与保护
本地 / 远程：前面板手动旋钮 + 按键；远程支持AS4 模拟、Profibus DP、EtherCAT、RS232/485，无缝接入半导体自动化产线
电弧抑制：全自动快速熄弧，淬灭时间 6μs~3ms，电弧能量 < 0.3mJ/kW，避免离子源灯丝 / 腔体损坏，保障晶圆安全
保护机制：过压、过流、短路、过温、高压互锁、安全门联锁，符合 SEMI 安全标准
三、微电子领域核心应用价值
1. 离子注入：半导体掺杂的精准能量源
GG03 为离子源提供稳定 - 1000V 加速电压，精准控制离子能量（0~1000eV），实现晶圆浅结掺杂、阈值电压调节、隔离区形成等关键工艺。其 **±1% 精度 ** 与快速电弧保护，确保注入均匀性、剂量一致性，满足先进制程（28nm 及以下）对掺杂精度的严苛要求，提升芯片良率与电学性能稳定性。
2. 离子束刻蚀（IBE）：纳米级图形加工利器
驱动离子源产生高能、准直离子束，对晶圆、MEMS 结构进行物理刻蚀，实现纳米级线宽、高深宽比的微结构加工（如传感器悬臂梁、光学光栅、芯片互联沟槽）。GG03 的恒流 / 恒功率模式可稳定控制离子束流密度，保证刻蚀速率均匀、选择比优异，避免传统干法刻蚀的等离子体损伤，适配 MEMS、红外传感器、光电器件等精密制造。
3. 离子束辅助沉积（IBAD）/ 离子束沉积（IBD）：高品质薄膜制备
在薄膜沉积（栅介质、金属互连、钝化层、光学膜）过程中，GG03 输出的高压离子束对沉积原子进行轰击、致密化，降低薄膜应力、提升致密度与附着力，解决传统蒸镀 / 溅射薄膜疏松、易脱落的痛点。其宽范围可调参数，适配 SiO₂、Si₃N₄、金属、氧化物等多种薄膜工艺，保障器件可靠性与寿命。
4. MEMS 与先进传感器：微型器件加工的稳定保障
针对 MEMS 压力传感器、加速度计、微镜等微型器件，GG03 以紧凑机架、低纹波输出，适配小型真空腔体与集成化设备，实现微结构刻蚀、表面改性、薄膜修饰，提升传感器灵敏度、一致性与长期稳定性，满足消费电子、汽车电子、工业传感的批量生产需求。
四、选型与集成要点
匹配区分：GG03（300W/300mA）与 GG03.1（30W/30mA）功率 / 电流差异显著，需按离子源规格（考夫曼 / ECR、束流需求）精准选型
工艺适配：离子注入优先恒压模式；刻蚀 / 沉积优先恒流 / 恒功率模式，确保束流稳定
安全规范：必须可靠接地、配置高压互锁与安全门联锁，严格遵循真空设备高压操作标准
维护：定期清洁散热风道、检查高压线缆绝缘，备份工艺参数，保障长期稳定运行
