针对以上两种应用，宏微科技推出75A-450A不同电流等级的半桥模块和75A-150A的H桥一体化模块。通过每相采用单个或两个及以上半桥模块并联，基本可以覆盖3kV-10kV高压变频器的中小功率范围和一部分大功率范围、3kV-35kV级联储能系统的中等容量范围、3kV-35kV SVG的中等容量范围。同时针对小功率段的高压变频器，使用H桥一体化模块，可以减少模块使用数量，大幅削减链节体积，降低结构成本。
半桥拓扑模块
以MMG450WB170B6TC半桥模块为例1产品特点- 基于GWB封装平台
- 功率密度高
- 低热阻设计
- 低寄生电感
- 通过HV-H3TRB、防硫等可靠性试验
1、常高温下FRD压降更低，热阻更小；IGBT压降与竞品接近，但热阻更小，从而使得整体发热更小。
2、常高温下，相同速度开关损耗更小，尖峰更低，寄生电感更小。
3、150℃，VGE=15V，Vcc=1000V条件下短路能力≥10us。
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4、通过HV-H3TRB和硫化等高可靠性试验
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H桥一体化模块
以MMG100W170HX6TC一体化模块为例
1产品特点- 基于GW封装平台
- 集成度高
- 功率密度高
- 内置NTC电阻
- 通过HV-H3TRB、防硫等可靠性试验
以往高压变频器应用为了搭建H桥拓扑，需要用2个“半桥的IGBT模块”和1个“整流二极管模块”来进行组合构建，总计使用3个功率模块。
使用宏微MMG100W170HX6TC一体化模块，只用1个模块即可完成3个模块的工作，同时还内置了NTC热敏电阻，以辅助我们在实际工作中进行温度监控。
与原先方案对比，可实现的功能只多不少，而且1个一体化 IGBT模块构成高压变频器的1个单元，使系统级联设计变得更容易。
如果运行条件完全相同，使用一体化新产品可以大幅削减链节体积，从而缩小整机体积，降低结构成本，优化电气特性。
总 结宏微科技此次推出的1700V一系列产品，不仅在芯片性能上进行了改进，还在封装形式上进行创新，有效地降低了功耗，提升了效率；还具有更出色的可靠性能力，HV-H3TRB、防硫化等使其在实际应用中表现更加优秀。
我们相信，1700V这一系列的IGBT模块将为工控、变频、电能改善等领域的应用带来更高的性能和可靠性，同时也将为行业发展带来更多的创新和进步。
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