产品详情
一、产品概述
半导体镀膜冷却工业冷水机是为半导体镀膜工艺（如真空溅射镀膜、化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD））研发的超高精度制冷设备，核心作用是为镀膜机的靶材、反应腔、射频电源、光学镜片等关键部件提供 5℃-35℃的循环冷却，控制部件温度稳定性（波动≤±0.1℃）、反应腔壁温差（≤±1℃）及冷却水流量精度（偏差≤±1%），确保镀膜层厚度均匀性（偏差≤±1%）、电阻率一致性（偏差≤±2%）及膜基结合力（≥50MPa）。在半导体镀膜中，温度波动 0.5℃可能导致镀膜层厚度偏差≥2%、缺陷密度增加 5 个 /cm²，传统冷却设备存在控温精度低（±1℃）、振动干扰（振幅≥3μm）、洁净度不足等问题，导致镀膜合格率不足 90%。
二、产品描述
- 超高精度恒温系统：实现 5℃-35℃宽域控温（静态精度 ±0.5℃）。针对半导体镀膜设备的多区域协同冷却需求（靶材与反应腔独立冷却），支持 2-4 路隔离式冷却回路，通过 PID 神经网络算法与流量微调节技术，确保各回路温差≤±0.1℃，反应腔壁轴向温差≤±0.5℃。相比传统设备，溅射镀膜的厚度均匀性从 ±3% 缩至 ±1%，CVD 沉积的电阻率偏差从 ±5% 降至 ±2%，有效减少因温度波动导致的镀膜缺陷（如针孔、剥离发生率≤0.1%）。
- 超洁净低干扰设计：与冷却介质接触部件采用 316L 不锈钢电解抛光（Ra≤0.02μm），密封圈选用全氟醚橡胶（FFKM），符合 FDA Class VI 生物兼容性要求，冷却水采用超纯水（电阻率≥18.2MΩ・cm）循环，溶解氧含量≤0.05mg/L（防止金属氧化）。水路系统配备四级过滤（50μm 预滤 + 10μm 精滤 + 0.2μm 超滤 + 离子交换），颗粒物浓度≤1 个 /cm³（≥0.1μm），满足 Class 10 级洁净室要求。设备采用空气弹簧减震基座（振幅≤0.5μm@10Hz），运行噪音≤40dB（距离 1m），电磁辐射≤20dBμV/m（1GHz 频段），避免干扰镀膜设备的射频信号（噪声水平≤-95dBm）。
- 半导体级安全架构：具备三级冗余温控保护（主回路 ±0.1℃、备用回路 ±0.2℃、紧急停机 ±0.5℃），响应时间≤10ms。设备整体采用不锈钢 316L 框架，表面经电解抛光与钝化处理，无颗粒脱落（每小时≤1 个 /ft³≥0.5μm）。防护等级达 IP65，适应半导体洁净室（温度 23℃±1℃，湿度 45%±5%）环境，通过 SEMI S2 安全认证，配备泄漏检测系统（检测精度≤0.1mL/min）与超纯水电阻率在线监测（实时显示≥18MΩ・cm）。
三、应用场景
- 逻辑芯片镀膜车间：用于 12 英寸晶圆铝互联层溅射镀膜冷却，控制靶材温度 20℃±0.05℃，使膜厚均匀性（偏差）≤±1%，方块电阻偏差≤±2%，满足 7nm 制程芯片的电学性能要求。
- 存储芯片生产车间：在 3D NAND 闪存氧化层 ALD 沉积中，提供 15℃±0.05℃冷却水，确保氧化层厚度（10nm）偏差≤±0.1nm，介电常数稳定性提升至 ±1%，适应高密度存储的绝缘性能需求。
- 化合物半导体车间：针对 GaN 外延片溅射镀膜冷却，通过双回路控温（反应腔 18℃±0.1℃、射频电源 25℃±0.1℃），使镀膜层应力≤100MPa，缺陷密度≤2 个 /cm²，满足射频器件的高频性能要求。
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MEMS 器件镀膜车间：用于微传感器金属电极溅射冷却，控制冷却水温 12℃±0.05℃，使电极线宽偏差≤±0.1μm，附着力（划格测试）达 5B 级，适应 MEMS 器件的微型化与可靠性要求。
